市场上哪些功率半导体产品最受青睐?有哪些独特优势

随着全球对环境保护意识的增强和能源结构的转型，光储充系统作为连接光伏发电、储能装置和电动汽车充电站的重要桥梁，正迎来前所未有的发展机遇。而功率半导体，作为光储充系统中的核心器件，其性能和技术水平直接影响着整个系统的效率和可靠性。

那么，当前市场上哪些功率半导体产品最受青睐？它们又具有哪些独特优势呢？本文将为您带来详细解答。

1、【清纯】SiC MOSFET 1200V/40mR S1M040120H

1200V/40mR SiC MOSFET 可靠性好，并且通过了双应力加严测试，芯片RSP低，驱动兼容所有品牌15V和18V，各项参数达国际先进水平

2、【瑞能】第二代高功率密度1200V SiC MOSFET系列

· BV》1600V

· Ron，sp=2.6mΩ·cm2（@20Vgs）

· FOM=3.27ΩnC（@18Vgs）

· Rdson温变极小，NTC特性增强

· SiC晶圆厚度仅150um

· 高门极耐压Vgs_max： -12V~+24V，

· 极高的栅氧可靠性

· 封装成品均采用银烧结工艺，封装热阻电阻大幅降低，可靠性提升

3、【中晶新源（上海）】SS065N045FIA（650 V / 450 A IGBT 光伏逆变模块 ）

高功率密度，采用中点钳位技术的三电平逆变模块

采用大规格晶圆，减少并联数量，提高均流及模块可靠性

低电感布局，减小关断尖峰，利于驱动和EMI 设计

相较进口竞品，损耗减小7%，转换效率提升0.13%，提升功率密度

相较进口竞品，实测BV值提升6.2%，更宽的安全裕量，满足客户复杂的应用场景

适用于120kW功率等级光伏逆变器，已在标杆客户批量使用，助力客户打造卓越的产品应用方案

4、【合科泰】功率MOS:HKTE120N15，HKTE150N15，HKTE110N20 IGBT单管：HKTH75N65

可靠性更强：终端结构优化

总损坏降低：Vce，sat降低0.5V，开关损耗下降20%

高功率密度：Easy2B Pin TO Pin，同样冷却系统，电流增加35%

5、【爱仕特】62mm封装SiC模块

爱仕特全新62mm封装SiC模块突破了硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限，为碳化硅打开了250kW以上中等功率应用的大门，扩展到太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。

模块采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，同时采用了全焊片工艺以及自建不同熔点焊片体系，保证了焊料层的稳定性及可控性，提高了器件的耐温度循环能力；爱仕特62mm模块具有出色的温度循环能力和175°C的连续工作温度（Tvjop），带来出色的系统可靠性。其内部的对称环流设计，使得产品具有更低寄生参数及开关特性。

6、【三安】碳化硅MOSFET

通过完全自主研发，设计开发了包括1200V/75mΩ/32mΩ/16mΩ/ 13mΩ SiC MOSFET器件/芯片；产品性能已到达国内先进水平，其中Ronsp达到320mΩ•cm2；沟道迁移率不低于30cm•v/s

6、【上海贝岭】BLG75T65F

正面采用Dummy Trench +载流子积累层结构，实现优越的Vcesat和短路能力的折衷性能，在具有短路能力的同时失效低的Vcesat；

IGBT背面采用H FS工艺，失效良好的Vcesat-Eoff的折衷关系；

优化的终端设计，达到175℃的结温，以及高可靠性。

7、【瑞迪】RG900B12MM7RY

静态参数：

VCES≥1200V；IC=900A；

VCE（sat）≤2.1V，Tj=175℃；

VF≤2.5V， Tj=175℃;

动态参数：

Eoff：

115mJ（IC=900A，VCE=600V，VGE=-8V/+15V，Rgoff=0.8Ω，Tj=175℃）;

Eon：

78mJ（IC=900A，VCE=600V，VGE=-8V/+15V，Rgoff=0.8Ω，Tj=175℃）。

采用瑞迪自主IGBT芯片及FRD芯片。

8、【宏微】125kW组串式光伏逆变器产品 MMG450HP065PD6T5

采用焊接针的GHP封装（兼容Flow2）；

功率密度高的模块；

采用低内阻、高可靠性的的PIN针设计；

低寄生电感的模块设计设计；

450A 650V NPC-I 拓

9、【蓉矽】1200V/75mΩ NovuSiC MOSFET NC1M120C75HT

1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT具有全面优异的电学性能、鲁棒性、可靠性，在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗，可以提高系统整体功率密度，降低系统总成本，产品特点如下：

满足车规级芯片可靠性要求的工规级产品2.低比导通电阻：

Ron，sp@（VGS=20V）=3.5mΩ·cm2

低动态损耗：Qgd=15nC

低密勒电容：Cgd=6pF

短路耐受时间＞3μs，动态性能达到国际水平

栅氧化层长期可靠，电场强度远小于常规4.0MV/cm限制

阈值电压（Vth）高达3.2V，抗串扰能力强

10、【瑶芯微电子科技（上海）】AK1BK2A140YAHH

具有高电流密度、低功率耗散等特点，已在300kW以上光伏电站大规模量产应用

11、【基本】新一代高性能、高可靠性的碳化硅MOSFET功率器件B2M040120Z

一、主要性能和指标

阈值电压高，可提升器件抗误导通的能力，提高器件的实际应用中的可靠度。

栅氧可靠性高，在栅极工作电压范围内，有效改善栅极可靠性，利于器件长期工作。

导通电阻温度系数低，高温175℃下导通电阻仅为室温下导通电阻的1.65倍，有利于降低器件高温工作时的通态损耗。

二、技术先进性

更低比导通电阻

通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品综合性能显著提升。

更低器件开关损耗

器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss及Crss/Ciss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

更高可靠性

通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB关键可靠性考核，产品可靠性表现出色。

更高工作结温

工作结温175℃，提高器件高温工作能力。