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功率半导体在电动汽车市场崭露头角

奇普乐芯片技术 来源:奇普乐芯片技术 2024-12-04 13:54 次阅读
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近年来,随着电动车渗透率的逐步提升,在各类汽车半导体产品中,功率半导体无疑是受益最大的领域;其高效能与低损耗特性,为电动车的续航提升与性能优化提供了坚实的硬件支撑。

目前,在电动车市场,全球汽车产业正经历一场深刻的转型。预计到2030年,电动车的渗透率将显著提高,功率半导体作为电动汽车电气系统的核心部件,其需求正在以惊人的速度增长。有数据显示,一辆新能源汽车所需的半导体数量是传统燃油车的三倍,而功率半导体的需求更是可达五至十倍。

其次,这种趋势不仅在电动汽车上,更对光伏、风能及储能等新兴市场形成了强大推动力。与传统的工业控制消费电子相比,功率半导体的应用场景正迅速向高效负载和可再生能源领域拓展。

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功率半导体发展规律周期

与此同时,功率半导体器件的工作原理基于其内部电子和空穴两种载流子的运动特性。

常见的功率半导体器件包括功率二极管、功率晶体管(如BJT、MOSFETIGBT等)。这些器件通过控制电压或电流的变化,实现对电力的高效转换和控制。

功率二极管:基于p-n结的特性工作,当正向偏置电压施加在p-n结上时,电流可以流过二极管并导通;而当反向偏置电压施加在p-n结上时,二极管则处于截止状态。

功率晶体管:如NPN型和PNP型的BJT晶体管,以及MOSFET和IGBT等。它们通过控制基极电流或栅极电压的变化,来控制集电极和发射极之间的电流流动,从而实现对功率的控制。

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图源:Google

由此可见,相较于MOSFET,IGBT能够在更高的电压条件下持续稳定运行,且在应用过程中必须兼顾高功率密度、低损耗、高可靠性、出色的散热性能以及成本控制等多方面因素。

另外,要制造一块既高性能又高可靠性,同时成本较低的IGBT芯片,不仅需要在设计阶段不断精进器件结构,也对晶圆制造工艺和封装技术提出了更为严格的要求。

然而,多项技术进步正在重塑数据中心的电力输送,电源单元正在从服务器级过渡到专用电源架,以优化空间和冗余。在 Open Rack v3 标准的推动下,电力输送继续从 12 Vdc转向 48 Vdc 母线。

人工智能的增长强化了这一趋势,因为它为高功率输送提供了更实用的解决方案,同时降低了损耗。电源额定功率从 1-3 kW 增加到 5-12 kW,从而提高了功率密度,而由于数据中心运营商的可持续发展目标,效率目标已升至 97.5%。

因此,这些转变正推动电源转换新拓扑的发展以及新的功率半导体技术,例如交流/直流转换级中额定电压为 400 V 的 SiC 和电源单元中直流/直流转换级的氮化镓 (GaN) 的引入。

据 Yole 数据预测,至 2025 年,全球功率半导体分立器件和模块的市场规模将分别达到 76 亿美元和 113 亿美元;据中国产业信息网数据,2023 年中国大陆地区 IGBT 市场规模预计达到 290.8 亿元,同比增长 11.6%。

简言之,功率半导体应用广阔,几乎涵盖所有电子产业链。以 MOSFET、IGBT 以 及 SiC MOSFET 为代表的功率器件需求旺盛。据性能不同,广泛应用于汽车、充电桩、光伏发电、风力发电、消费电子、轨道交通、工业电机、储能、航空航天和军工等领域。

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原文标题:跨越消费电子至汽车产业,功率半导体正逐步崭露头角

文章出处:【微信号:奇普乐芯片技术,微信公众号:奇普乐芯片技术】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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