上海贝岭亮相第五届汽车电驱动及关键技术大会

此前，2024年11月27-28日，上海贝岭参加由盖世汽车主办的第五届汽车电驱动及关键技术大会。本次展会，上海贝岭展示了汽车电子相关产品及应用方案。

BELLING

产品推荐

一、“IGBT+FRD” 组合1

「BELLING」

BLQG200T120是1200V 200A的IGBT DIE，该产品是基于贝岭Trench-FS Gen5技术平台，具有开关损耗低，高可靠性和强短路鲁棒性的特点。其正面采用虚拟trench和有效trench的搭配，来优化器件的电容和电荷参数，实现低开关损耗和快速开关特性。背面采用多次H FS工艺，优化器件的抗EMI能力，同时芯片具有强短路能力。终端采用优化的场板场限环终端，保证器件最高工作结温175℃以及高可靠性。

BLQG200T120特性

VCE最低1200V，持续电流200A @100℃，最高脉冲电流400A

VCE (sat)@Vge=15V，仅1.85V，导通压降低，导通损耗低

工作结温范围：-40~175℃

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

BLK105N120 为FRD DIE，该款芯片与IGBT配套，采用寿命控制技术，具有较低的反向恢复电流和反向恢复时间。

BLK105N120特性

VBR最低1200V，正向导通电流200A@100℃

正向导通压降2.0V@200A，Tc=25℃

工作结温范围：-40~175℃

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

“BLQG200T120+ BLK105N120”典型应用

通过不同的并联封装，可实现在800V平台新能源汽车不同功率的拖动电机驱动。

二、“IGBT+FRD” 组合2

「BELLING」

BLQG275T75为IGBT DIE，该产品是基于贝岭Trench-FS Gen7 技术平台，具有正向压降小、开关速度快，开关损耗低、高可靠性等特点。其采用第七代微沟槽栅技术，优化了导通压降和开关损耗，实现更好的输出特性及高可靠性。采用优化的多层场截止技术，改善了器件在不同母线电压和栅电阻下的短路表现。采用优化的结终端技术，实现175℃的最高工作温度、高可靠性以及强鲁棒性。

该款芯片完成全面的车规认证，特别为工作频率在5 至20kHz的硬开关电路设计，主要面向新能源汽车应用市场。该芯片针对电动汽车驱动应用特点特别优化损耗分布，优化正温度系数，使得该芯片易于并联使用，保证了产品的易拓展性，可通过不同封装形式满足不同功率等级的应用。

BLQG275T75F特性

VCE 最低750V，持续电流275A@100℃，最高脉冲电流550A

VCE (sat )@Vge=15V，仅1.4V，导通压降低，导通损耗低

工作结温范围：-55~175℃

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

BLQK275N75 为FRD DIE，该款芯片与IGBT配套，采用寿命控制技术，具有较低的反向恢复电流和反向恢复时间。

BLQK275N75特性

VBR最低750V，正向导通电流275A@100℃

正向导通压降1.56V@150A，Tc=25℃

工作结温范围-40~175℃

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

“BLQG275T75F+ BLQK275N75”典型应用

以TO-247PLUS 单管封装可广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器，适合A0级和A00级纯电动汽车。

以HPD等形式的750V IGBT功率模块可广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器，适合A级纯电动及混合动力汽车。

三、SiC MOSFET系列

「BELLING」

BLQC75N120、BLQC40N120、BLQC16N120、BLQC13N120均为N沟道增强型平面MOSFET，采用第三代半导体材料——碳化硅，具有低导通电阻、低电容和栅极电荷、优异的开关性能等优点。与硅相比，该器件可以为电力电子系统应用提供更高的效率、更快的工作频率和更紧凑的系统尺寸。

BLQC75N120特性

VDS 最低1200V，持续电流40A，30A @100℃，最高脉冲电流80A

RDS(ON)典型值75mΩ@15V、50mΩ@20V，导通电阻低

开关损耗低

工作结温范围：-40~175℃

100% 雪崩测试

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

典型应用：

OBC

DCDC

空调电子压缩机

开关电源

BLQC40N120特性

VDS 最低1200V，持续电流70A，50A@100℃，最高脉冲电流160A

RDS(ON)典型值40mΩ@15V、26mΩ@20V，导通电阻低

开关损耗低

结工作温范围：-40~175℃

100% 雪崩测试

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

典型应用：

OBC

DCDC

空调电子压缩机

充电桩

BLQC16N120特性

VDS 最低1200V，持续电流120A，85A@100℃，最高脉冲电流300A

RDS(ON)典型值16mΩ@18V、14.5mΩ@20V，导通电阻低

开关损耗低

工作结温范围：-40~175℃

100% 雪崩测试

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

典型应用：

主驱

OBC

充电桩

BLQC13N120特性

VDS 最低1200V，持续电流152A，108A@100℃，最高脉冲电流310A

RDS(ON)典型值13mΩ@18V、10mΩ@20V，导通电阻低

开关损耗低

工作结温范围：-40~175℃

100% 雪崩测试

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

典型应用：

主驱

OBC

充电桩

四、功率模块系列

「BELLING」

BLQGMS820T75FEDL7

BLQGMS820T75FEDL7是一款非常紧凑的六单元IGBT HPD模块，采用贝岭第7代沟槽栅场阻止层结构；具有极低的VCE (sat)，正温系数，优化的栅电荷和米勒电容；具有强的抗EMI能力和短路能力。

BLQGMS820T75FEDL7特性：

采用贝岭第7代沟槽栅场阻止层结构

VCES最低750V，持续电流820A，450A@80℃，最高脉冲电流1640A

VCE (sat)@Vge=15V，仅1.2V@25℃，具有极低的VCE (sat)，正温系数，优化的栅电荷和米勒电容

具有强的抗EMI能力和短路能力

典型应用：

适用于电动汽车和混动汽车的逆变主驱，以及电机驱动等应用。

BLGMF600T120FCDS4

BLGMF600T120FCDS4是基于贝岭第四代先进的沟槽场截止技术（T-FS4）的IGBT半桥模组（E3），并集成了一个NTC温度传感器。其具有低VCE (sat)、优化的开关性能等特点。

BLGMF600T120FCDS4特性：

采用贝岭第4代沟槽栅场阻止层结构

VCES最低1200V，持续电流1200A，600A@80℃，最高脉冲电流1200A

VCE (sat)@Vge=15V，仅1.75V@25℃，具有低VCE (sat)，正温系数，优良的开关性能

具有高可靠性，强短路能力

典型应用：

适用于大功率逆变器，风力发电，工业焊机，以及工业UPS系统等应用

IGBT是适用于电机驱动器、UPS 的器件

如需进一步了解上海贝岭产品，可关注上海贝岭官网以获得更新的产品信息，上海贝岭亦可为您提供更贴合贵公司需要的产品定制化服务，欢迎垂询。