0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

TPH1R204PL:高性能MOSFET的理想选择

jf_45356764 来源:jf_45356764 作者:jf_45356764 2024-10-29 14:29 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

引言

在现代电子设备中,功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为一种高效能的开关元件,广泛应用于电源管理DC-DC转换器电机驱动等领域。东芝推出的TPH1R204PL便是一款优质的功率MOSFET,凭借其卓越的性能和可靠性,成为众多应用中的首选。

产品概述

TPH1R204PL是一款N沟道功率MOSFET,额定电压为20V,最大连续电流为20A。该产品采用东芝的创新技术,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效率和低功耗的应用场景。

wKgaoWcggMCAbe6DAAFy-4yreCQ699.png

一、核心特点

低导通电阻

TPH1R204PL的导通电阻(RDS(on))极低,这意味着在导通状态下,其能耗非常小,能够显著降低系统的热损耗。这对于要求高效能的电源管理系统尤其重要,有助于提高整体系统的效率。

高开关速度

该MOSFET的开关速度非常快,能够迅速切换导通与关断状态。这一特性使得TPH1R204PL在高频应用中表现优异,能够满足现代开关电源对开关频率的苛刻要求。

良好的热性能

TPH1R204PL的封装设计优化了散热性能,使得在高负载情况下也能保持较低的工作温度。这对于延长器件寿命和提高系统可靠性至关重要,尤其是在密集布置的电子设备中。

抗静电性能

该产品还具备良好的抗静电能力,能够抵御外部环境对电路的干扰,从而保障系统稳定运行。

二、应用领域

TPH1R204PL广泛应用于多个领域,包括但不限于:

电源管理:在各种电源转换器中,TPH1R204PL能够有效地降低能耗,提升能效,特别是在DC-DC转换器中表现出色。

电机驱动:由于其高效能和快速响应,TPH1R204PL非常适合用于电机驱动应用,能够实现高效能的电动机控制。

消费电子:在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,TPH1R204PL能够帮助实现更长的电池寿命和更高的性能。

工业自动化:在工业控制系统中,TPH1R204PL的高效性能可提高系统响应速度和可靠性,是电源模块和驱动模块的理想选择。

三、性能优势

TPH1R204PL的设计充分考虑了现代电子产品的需求,其优势体现在以下几个方面:

提高系统效率

由于低导通电阻,TPH1R204PL能够大幅度降低电源转换过程中的能量损耗,从而提高整体系统效率。

延长设备寿命

优化的热性能使得TPH1R204PL在高负载运行时保持低温,有效降低了热衰退的风险,从而延长了设备的使用寿命。

简化设计

TPH1R204PL的高开关速度和稳定性能,使得电路设计更为简便。设计师能够更加灵活地设计高效能电源管理和驱动系统。

四、总结

东芝的TPH1R204PL功率MOSFET以其卓越的性能和多样化的应用潜力,成为市场上极具竞争力的选择。无论是在电源管理、电机驱动,还是在消费电子和工业自动化中,TPH1R204PL都能提供出色的效率和可靠性。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9411

    浏览量

    229485
  • DC-DC转换器
    +关注

    关注

    10

    文章

    708

    浏览量

    57832
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    深入解析 NTBLS1D5N10MC:高性能N沟道MOSFET的卓越之选

    在电子工程师的日常设计工作中,MOSFET 作为关键的功率器件,其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天,我们就来详细探讨 onsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET
    的头像 发表于 12-03 11:52 222次阅读
    深入解析 NTBLS<b class='flag-5'>1</b>D5N10MC:<b class='flag-5'>高性能</b>N沟道<b class='flag-5'>MOSFET</b>的卓越之选

    深入解析 NTMFWS1D5N08X:高性能N沟道功率MOSFET的卓越之选

    在电子工程师的日常设计工作中,功率 MOSFET 是不可或缺的关键元件。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的 NTMFWS1D5N08X 这款高性能 N 沟道功率 MOSFET
    的头像 发表于 12-03 11:30 199次阅读
    深入解析 NTMFWS<b class='flag-5'>1</b>D5N08X:<b class='flag-5'>高性能</b>N沟道功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>的卓越之选

    LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件

    LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件产品型号:LMG3410R070RWHR产品品牌:TI/德州仪器产品封装:VQFN32产品功能:高性能GaN功率器件LMG3410
    的头像 发表于 11-29 11:25 55次阅读
    LMG3410<b class='flag-5'>R</b>070RWHR   <b class='flag-5'>高性能</b> GaN 功率器件

    N沟道功率MOSFET 美容仪加湿器专用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

    N沟道功率MOSFET 美容仪加湿器专用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
    发表于 10-31 09:35

    Toshiba推出采用最新一代工艺技术[1]的100V N沟道功率MOSFET,以提升工业设备开关电源效率

    Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的100V N沟道功率MOSFET。该MOSFET的目标应用包括数据中心和
    的头像 发表于 09-28 15:17 404次阅读

    Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持续工作,助力
    的头像 发表于 08-11 16:54 2179次阅读

    高性能时钟抖动清除器LMK04714-Q1技术解析

    Texas Instrument LMK04714-Q1双环时钟抖动清除器是一款高性能时钟调节器,支持JEDEC JESD204B/C,适用于航天应用。PLL2的每个14时钟输出均可配置为驱动七个
    的头像 发表于 08-08 15:05 749次阅读
    <b class='flag-5'>高性能</b>时钟抖动清除器LMK04714-Q<b class='flag-5'>1</b>技术解析

    H618核心板:高性能嵌入式系统的理想选择

    终端、边缘计算等领域的理想选择。本文将详细介绍明远智睿的H618核心板的优势,帮助开发者更好地理解其应用价值。   --- **1. 高性能处理器架构**   H618核心板采用先进的
    的头像 发表于 06-30 15:14 1481次阅读

    替代HMC7044超低噪高性能时钟抖动消除器支持JESD204B

    1. 概述PC7044是一款高性能双环路的整数时钟抖动消除器,可以为具有并行或串(JESD204B型)接口的高速数据转换器执行参考时钟选择和超低噪声频率的生成。 PC7044具有两个整
    发表于 05-08 15:57

    CI24R1超低成本高性能2.4GHz GFSK无线收发芯片中文手册

    电子发烧友网站提供《CI24R1超低成本高性能2.4GHz GFSK无线收发芯片中文手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-09 17:07 2次下载

    LC65R1K0D 5A 650V TO-252封装:高性能功率MOSFET,满足高效电源设计需求

    Cool MOS LC65R1K0D以其zhuoyue的性能和可靠性,成为电源设计和工业应用的理想选择。无论是开关电源、电机驱动还是LED照明,这款
    的头像 发表于 02-21 16:21 874次阅读

    东芝TPH9R00CQ5 MOSFET的功能特性

    的缩减,物理限制逐渐显现,MOSFET面临着性能瓶颈;加之苛刻环境对可靠性的迫切要求,构成了需要共同攻克的难题。
    的头像 发表于 02-15 09:18 851次阅读
    东芝<b class='flag-5'>TPH9R</b>00CQ5 <b class='flag-5'>MOSFET</b>的功能特性

    PSMN1R1-60YSF MOSFET规格书

    电子发烧友网站提供《PSMN1R1-60YSF MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
    发表于 02-14 15:00 0次下载
    PSMN<b class='flag-5'>1R1</b>-60YSF <b class='flag-5'>MOSFET</b>规格书

    PSMN1R1-80CSF N沟道MOSFET规格书

    电子发烧友网站提供《PSMN1R1-80CSF N沟道MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
    发表于 02-13 17:18 0次下载
    PSMN<b class='flag-5'>1R1</b>-80CSF N沟道<b class='flag-5'>MOSFET</b>规格书

    Powlicon/宝砾微 60V 5A 同步降压转换芯片PL86051 DC-DC应用

    宝砾微代理商 PL86051是一款为高性能同步降压DC/DC应用设计的高压降压转换器,输入电压高达60V。PL86051集成了一个高效率的同步降压开关稳压器,包括一个60V、20毫欧的高端和一个
    发表于 01-20 14:29