远山半导体投资15亿建3条芯片线

近日，GaN行业迎来了一项重要突破，一家名为远山半导体的企业宣布成功研发出新一代高压氮化镓功率器件，其电压等级高达3300V。这一消息于10月18日由“泰克科技”官方微信发布。

远山半导体的产品线现涵盖700V、1200V、1700V及3300V等多个规格的蓝宝石基氮化镓功率器件。这些创新器件采用了独特的极化超级结（PSJ）技术，使得额定工作电压和工作电流分别提升至1200V和20A。这些高性能器件在高功率PD快充、车载充电器、双向DC-DC转换器、微型逆变器、便携储能以及V2G（Vehicle-to-Grid）等领域具有广泛应用前景。

泰克科技的测试结果进一步验证了远山半导体氮化镓功率器件的卓越性能。测试显示，这些器件具有高击穿电压、低阈值电压以及低静态导通电阻等特性。在动态开关测试中，即便在高压环境下，器件依然表现出极高的开关速度，并有效克服了电流崩塌现象。

远山半导体的氮化镓功率器件成功打破了传统氮化镓器件650V额定电压的限制，展现了在高电压大电流条件下的出色表现。

远山半导体成立于2017年10月，由公信投资管理有限公司与日本PowDec株式会社共同出资设立。公司凭借独有的4英寸蓝宝石基氮化镓外延生长技术，成功生产出650V至6500V等多种规格的氮化镓功率半导体外延晶圆与功率器件。值得一提的是，远山半导体已推出单片耐压高达6500V、电流范围在5-30A内的GaN产品，且外延生长时间仅需2-3小时，良品率接近100%，成本远低于市场平均水平。

在项目建设方面，远山半导体于2022年末规划了总投资15亿元的新建项目，包括引进15台MOCVD设备、建设3条规模化芯片生产线以及配备全套封装检测设备。同时，公司正积极寻求政府产业基金入股母公司，并希望项目公司能落户当地，同时获得人才、厂房、设备补贴，并规划用地100亩。

在合作领域，远山半导体于2024年4月与日本丰田合成株式会社签订了合作协议，正式建立了战略伙伴关系。这一合作将促进双方在GaN技术、产品以及市场等方面的深入合作，共同探索新的发展机遇。