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中国5G芯片面临的4大瓶颈问题以及对高通的影响

M8kW_icbank 2018-01-22 12:42 次阅读
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当前我国正在大力开展5G技术与产业化的前沿布局,在5G芯片领域取得积极进展,技术产业化进程不断加快。一方面我国政府高度重视5G芯片的发展,中国制造2025、"十三五"国家信息化规划、信息通信行业发展规划、国家科技重大专项、工业转型升级资金、国家集成电路产业投资基金等为5G芯片的发展提供良好的支撑环境。另一方面我国企业和科研院所围绕5G芯片积极布局,华为海思、展讯等企业正在加快5G基带芯片研发进程;PA、滤波器等5G高频器件的研发也已陆续展开;三安光电、海特高新等企业在化合物半导体代工领域有所突破。经过长期积累,我国集成电路产业在移动芯片领域已取得巨大进展,但5G面临的瓶颈问题依然突出。

第一,关键核心技术缺失

国内5G 芯片产品研发面临国外专利封锁,部分关键核心技术缺失,如国外射频芯片和器件技术已经非常成熟,尤其是面向高频应用的BAW和FBAR 滤波器,博通Qorvo 等企业已有多年技术积累,我国BAW和FBAR专利储备十分薄弱,自主研发面临诸多壁垒。

第二,制造水平依然落后

国内5G 芯片缺乏成熟的商用工艺支撑,整体落后世界领先水平两代以上。砷化镓、氮化镓等化合物半导体代工市场主要被稳懋、宏捷科技等***大厂垄断;格罗方德、TowerJazz等厂商则在锗硅和绝缘硅材料工艺方面技术领先。

第三,产业配套有待完善

5G 芯片关键装备及材料配套主要由境外企业掌控。设备方面,制造化合物半导体的关键核心设备MOCVD仍主要被德国爱思强和美国Veeco 所垄断,国内企业正在积极突破。材料方面,以日本住友为代表的企业在化合物半导体材料领域优势明显;法国Soitec 和日本信越等企业在SOI 晶圆材料市场占有率较高;封装用的高端陶瓷基板材料基本都是从日本和***地区进口。

第四,产业生态亟需营造

当前我国5G芯片设计、制造、封测以及装备材料配套等产业链上下游协同性不足,通信设备整机厂商和国外芯片厂商之间的合作惯性一时还难以打破,国内芯片缺乏与软件、整机设备、系统应用、测试仪器仪表等产业生态环节的紧密互动。

中国厂商欲在5G芯片上战胜高通

英国《金融时报》网站10月16日刊登题为《中美5G之争》的报道称,一场不那么热闹的围绕5G芯片的争执才是重头戏——目前5G标准尚未制定出来。中国正力争在下一代移动数据服务的设计方面占据更大份额。如果中国成功了,高通将受到冲击,中国设备制造商将会受益。

据杰富瑞估算,现行4G标准的核心专利中,12.5%由高通所有。在截至今年6月的9个月内,这家美国集团的专利费收入高达44亿美元。中国是全球最大的移动市场——仅中国移动就拥有8.73亿用户——但在知识产权方面,中国拥有的份额一直很小。

报道称,未来中国在知识领域将拥有更大影响力。杰富瑞指出,在现有的5G核心专利中,中国拥有其中的十分之一。中国已着手增强自身在国际监管机构中的作用。

未来5G标准会是什么样,在很大程度上取决于为确保设备和协议可以跨境通用所需采取的国际合作。中美模式最根本的区别在于5G技术应该采用什么频率。美国企业声称,高频毫米波存在优势。而中国可能想凭借其较低频率的模式成为一个先行者,希望以此影响那些尚未拿定主意的国家。

移动运营商将不得不承担大部分实施成本——据政府研究人员估计,到2025年需耗资1.65万亿元人民币(合2500亿美元)。设备制造商和专利所有者将受益于更高的专利费用。

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原文标题:中国5G芯片面临的主要挑战

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