易与SRAM替换的国产铁电存储器SF25C20，兼容MB85RS2MT

传统的SRAM是一种易失性存储器，这意味着它需要持续供电以维持其中的数据；一旦断电，数据就会丢失。相比之下，非易失性存储器（如闪存）可以在没有电源的情况下保持数据。SRAM兼容的非易失性存储器可以通过铁电存储器（FRAM）来实现非易失性。FRAM铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，这种材料即使在断电后也能保持其状态。

铁电存储器是一种具有非易失性和随机访问特性的存储器，非易失性允许在断电时保留数据，随机访问则能够实现快速数据写入。由于铁电存储器能够在电源故障和断电时安全地存储正在写入的数据，因此可以确保设备中记录的参数信息和日志数据的安全。采用铁电存储器产品的应用已经广泛应用于工厂自动化、测量设备、ATM和医疗设备等领域。

当方案使用SRAM记录数据时，需要装备有防止突然断电的后备电池。由于铁电存储器具备非易失、按字节高速读写和高读写耐久度等特征，则该方案通过将SRAM替换成铁电存储器，可以省去电池。省去电池后，不仅可以减少产品的零部件成本和电池维护成本，还有助于优化产品尺寸。

SF25C20性能参数介绍：

• 容量：2M bit，提供SPI接口；

• 工作频率是25兆赫兹；

• 高速读特性：支持40MHz高速读命令；

• 工作环境温度范围：-40℃至85℃；

• 封装形式：8引脚SOP封装，符合RoHS；

• 性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯）；

注：如涉及作品版权问题，请联系删除。