国产设备“大生产”发力 积极面对国际挑战

半导体设备国产化是实现国产化芯片最关键的一役，近期，包括北方华创、电科装备集团分别在立式氧化炉、化学机械抛光设备皆相继取得生产阶段性突破，尽管，面对国外厂家激烈竞争与商业兴讼围堵手段，国产设备厂家仍取得积极性进展。另方面，据业内人士透露，中微也将极积反击Veeco，为捍卫自有专利再攻下一城。

北方华创12吋立式氧化炉Move In长江存储

近日，北方华创下属子公司北方华创微电子自主研发的12吋立式氧化炉THEORISO302 Move In长江存储生产线，将应用于长江存储生产3D NANDFlash制程，扩展了国产立式氧化炉的应用领域。

THEORISO302立式氧化炉是北方华创微电子的一款成熟产品，已批量用于中芯国际、上海华力微芯片生产线，本次Move in长江存储生产线，显示其已全面覆盖应用于LOGIC、DRAM、NAND等产品工艺生产制程，成为客户的POR（Process of Record）机台（扩产优先采购机台）。

北方华创藉由半导体行业景气持续提升，顺利跨入晶圆厂主流装备供应商行列。目前包括12吋晶圆制造的刻蚀机、PVD、立式氧化炉、清洗机、LPCVD等设备和气体质量流量控制器等产品,都已批量进入了国内主流集成电路生产线。北方华创预计，到2018年，将有40多种装备可以通过生产一线用户认证，进入采购行列。

值得注意的是，其目前所承担的“02专项”16/14nm工艺制程设备也正在加速研发中。

国产自研CMP进入中芯大生产线

由中电科电子装备集团有限公司（简称“电科装备”）研发的国内首台拥有自主知识产权的8吋CMP（化学机械抛光）设备，近日也进入中芯天津8吋大生产线进行产线验证。这是国产CMP设备首次进入集成电路大生产线验证，填补了国产设备产线验证的空白。

CMP是集成电路硅片制造表面精细抛光的重要工艺制程，也是实现集成电路3D TSV封装工艺的关键工艺手段。

据介绍，这套国产8吋CMP设备由抛光、清洗、晶圆传输三大模块组成，按照国际标准设计，能够满足集成电路晶圆制造中所有复杂平坦化工艺需求，包括STI、ILD、contactor、metal line等；同时满足TSV、MEMS等领域平坦化工艺要求，适用于主流半导体材料包括氧化物、氮化物、硅、钨、铜、钽、铝等，以及特殊材料（如聚合物等）。

该套设备在交付前已经进行3个批次近一万片工艺试验，性能指标经中芯测试已经达到设备进厂在线验证要求，未来6个月进厂后将经受大生产的考验。

面对国际挑战 国产设备底气足

尽管屡传好消息，国产设备在国内晶圆厂的认证与生产都取得长足的进展，但同样的，也遭逢国际竞争者的挑战，并以诉讼作为商业竞争手段。

日前美国MOCVD（金属有机化合物气相沉积设备）设备厂Veeco向美国纽约东区地方法院提出针对SGL Carbon，LLC（SGL）禁令请求，禁止SGL出售采用Veeco专利技术的MOCVD使用的晶圆承载器（即石墨盘），包括专为中国MOCVD设备商中微半导体设计的石墨盘。

而中微在国内进行关键性的反击，日前，国家知识产权局专利复审委即作出审查决定，否决“Veeco上海”关于中微半导体专利无效的申请，确认中微半导体起诉Veeco上海专利侵权的涉案专利为有效专利。

事实上，中微半导体作为国产半导体装备的“领头羊”，已非首次遭逢专利官司的考验，而且“交手”的对象还都是国际一线大厂包括应用材料(Applied Materials)、科林研发（Lam Research）。

2007年10月，应用材料将中微半导体告上了美国法庭，指控中微侵权；但2010年，双方最终达成了和解，并解决了所有未决争议。其中，双方同意专利族将由双方共同拥有。

就在今年2017年，中微与科林研发历时长达8年的刻蚀机专利官司，中微控告其侵犯商业秘密，中微并取得了胜利。如今在LED装备领域再度遭逢Veeco严峻的官司挑战，这一次能否顺利过关？

ICWise半导体首席分析师顾文军则透露，中微在关于Veeco与SGL的官司上，似乎暂时判决对中微半导体不利，也起了业内对中微和LED公司的担心，但他也透露，很快就会有好消息，不必太过悲观。