美印深化半导体合作新篇章:格芯宣布在加尔各答设立研发中心

在特拉华州举行的四方领导人峰会之际，美国与印度携手深化了半导体领域的合作，共同推出了一系列旨在促进技术创新与供应链韧性的重要举措。9月21日，白宫发布的官方声明揭示了美国总统拜登与印度总理莫迪达成的关键协议，宣布将合作建立一座先进的半导体制造工厂，专注于传感、通信及电力电子产品的前沿生产。

这座新工厂将聚焦于红外线、氮化镓及碳化硅等高科技半导体材料的制造，并获得了印度半导体领域代表团、Bharat Semi、3rdiTech公司以及美国太空军等强大战略伙伴的技术与资金支持。此举旨在强化国家安全，推动下一代电信技术及绿色能源应用的革新与发展。

双方领导人在联合声明中高度评价了为构建可靠且安全的半导体供应链所作的努力，特别提到了印度设立的格芯加尔各答“全球能力中心”，该中心致力于芯片制造技术的研发，旨在加速零排放与低排放汽车、物联网设备、人工智能及数据中心等领域的进步。同时，双方还探讨了格芯与印度长期制造合作的潜力，期待为两国创造更多高质量就业岗位。

此外，两国政府还宣布了美国国务院与印度半导体代表团建立新战略合作伙伴关系的消息，并与国际技术安全与创新（ITSI）基金保持战略协同，以进一步巩固双方在半导体及相关领域的合作基础。

声明还强调了双方在增强汽车市场供应链稳定性方面的合作成果，包括福特汽车公司计划利用其在印度的钦奈工厂进行出口业务的积极意向。

为了促进学术与科研交流，拜登与莫迪还宣布了在未来五年内将投入超过9000万美元资金支持美印全球挑战研究所，旨在加深两国大学与研究机构之间的合作，推动高影响力研究项目的发展。同时，双方还庆祝了美印先进材料研发论坛的成立，标志着两国在科研合作领域的又一重要里程碑。

在人工智能、量子技术及其他前沿科技领域，双方领导人也强调了日益增强的合作态势，并提及了美印量子协调机制会议的召开及通过美印科技捐赠基金（IUSSTF）为两国在AI与量子领域的研究提供新奖励的举措。特别地，IBM与印度政府签署的谅解备忘录，标志着双方在AI创新与半导体研究方面的深度合作迈入新阶段。

最后，双方领导人对当前在5G部署及下一代电信技术方面的紧密合作表示赞赏，并提及了美国国际开发署投资700万美元与印度机构合作扩大亚洲Open RAN学院的合作项目，彰显了双方在推动全球电信技术发展的共同愿景与努力。