离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀应用

应用于研究监测土壤的力学结构变化, 一般用于山体, 岩石和冻土等环境研究的物理量传感器 MEMS, 这种传感器的制造一般需要经过镀膜, 沉积, 刻蚀等工艺多次循环, 金 Au 和 铂 Pt 是传感器加工中常用的涂层, 在完成镀膜后, 蚀刻是制造微型结构的重要工艺之一, 用传统的刻蚀工艺 ( 湿法刻蚀, ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀) 常常无法有效的刻蚀出所需的图形.

上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机 IBE 可以很好的解决传感器 MEMS 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.

上海伯东离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀方案.
刻蚀材料: 4寸 物理量传感器 MEMS (表面镀 金 Au 和 铂 Pt)
刻蚀均匀性要求: ≤±5%
刻蚀难点: Au 和 Pt 反应离子刻蚀 RIE 无法满足要求
刻蚀设备: 10 IBE
实际测试, 刻蚀时间 7分钟, Pt 均匀性2.7%, 完全满足要求

因客户信息保密, 10 IBE 部分刻蚀数据结果如下:

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上海伯东离子束刻蚀机

离子束刻蚀机 10 IBE 主要技术参数:

基板尺寸	4寸	图片仅供参考
样品台	干式橡胶卡盘+直接冷却（水冷）+0-±90 度旋转
离子源	考夫曼源 Well-2100（栅网φ100mm）
均匀性	≤5%（4寸 Si晶圆）
刻蚀速率	20nm/min （Si 晶圆）
真空度	1E-3Pa（45min内）
真空系统	干泵 + 德国 Pfeiffer 分子泵

上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机推荐应用:

类别	器件	刻蚀材料
磁性器件	自旋电子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD	Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…
传感器 MEMS	铂热电阻, 流量计, 红外传感器, 压电打印机头等	PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…
RF 射频器件	射频滤波器, GaAs / GaN HEMT 等	Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等
光电子	激光二极管, 光电探测器, 薄膜分装等	Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等
其他	探针卡, 薄膜片式电阻器, 氧化物, 超导等	NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等

上海伯东离子束刻蚀机

上海伯东日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRi 考夫曼离子源!
伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

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