英特尔10纳米可实现多达25%的性能提升

智能互联时代，数据洪流汹涌而生，对计算力的需求前所未有。英特尔始终以领先的制程工艺提供不断跃升的计算力，并将晶体管密度作为引领制程工艺发展的首要准则。英特尔以突破性技术和持续创新不断打破摩尔定律失效“魔咒”，过去15年里在业界广泛应用的主要制程工艺创新都由英特尔推动，并始终拥有至少三年的领先优势。

晶体管密度：

衡量制程工艺领先性的首要准则

目前一些竞争友商公司的制程节点名称并不准确，无法正确体现这个制程位于摩尔定律曲线的哪个位置。摩尔定律是指每一代制程工艺的晶体管密度加倍，纵观发展史，业界在命名新制程节点时会比上一代缩小30%，这种线性缩放意味着晶体管密度提高一倍，是符合摩尔定律的。近来，也许是因为进一步的制程升级越来越难，一些竞争友商公司背离了摩尔定律的法则，即使晶体管密度增加很少，或者根本没有增加，但他们仍继续推进采用新一代制程节点命名。

晶体管密度是衡量制程工艺领先性的首要准则。英特尔提出的指标是基于标准单元的晶体管密度，包含决定典型设计的权重因素，从而得出一个之前被广泛接受的晶体管密度公式：

这个公式可用于任何制造商的任何芯片晶片，且已被业界广泛使用，它能够明确、一致地测量晶体管密度，并为芯片设计者和客户提供关键信息，准确比较不同制造商的制程。通过采用这个指标，业界可以改变制程节点命名的乱象。

英特尔10纳米：

晶体管密度是其他竞争友商“10纳米”的2倍

英特尔10纳米制程采用第三代FinFET技术，相比其他竞争友商“10 纳米”制程领先整整一代。英特尔10纳米制程的晶体管密度达到每平方毫米1.008 亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，是业界其他竞争友商“10纳米”制程的约2倍。

相比之前的14纳米制程，英特尔10纳米制程实现多达25%的性能提升和45%的功耗降低。全新增强版的10纳米制程——10++，可将性能再提升15%并将功耗再降低 30%。

英特尔10纳米制程计划于2017年底投产，2018年上半年实现量产。

英特尔14纳米：

晶体管密度与其他竞争友商“10纳米”相当

相比于业界其他竞争友商的16/14纳米制程，英特尔14纳米制程的晶体管密度是他们的约1.3倍。业界其他竞争友商“10 纳米”制程的晶体管密度与英特尔14纳米制程相当，却晚于英特尔14纳米制程三年。

英特尔14纳米制程采用第二代 FinFET 技术，正处于量产阶段。英特尔14纳米制程的持续优化使其性能比最初的14纳米制程可以提升多达 26%，也可以在相同性能下降低50%以上的有效功耗。英特尔14+制程的性能比最初的14纳米制程提升了12%，而英特尔14++制程在此基础上又将性能提升了24%，超过业界最佳的其他14/16纳米制程20%。

超微缩技术：

提供超乎常规的晶体管密度

超微缩是英特尔用来描述从14纳米到10纳米制程，晶体管密度提高2.7倍的术语。超微缩为英特尔14纳米和10纳米制程提供了超乎常规的晶体管密度，并延长了制程工艺的生命周期。尽管制程节点间的开发时间超过两年，但超微缩使其完全符合摩尔定律。

22FFL

物联网和移动产品创新利器

22FFL是世界上第一个专门面向低功耗物联网和移动产品的FinFET技术，它基于英特尔近年22纳米/14纳米制程的生产经验，带来性能、功耗、密度和易于设计等优势，特别是将为中国带来巨大的创新机遇。

与先前的22GP（通用）制程相比，全新22FFL制程的漏电量最多可减少100倍。22FFL制程工艺可提供与14纳米制程晶体管相媲美的驱动电流，同时实现比业界28纳米制程更高的面积微缩。

前沿技术研发：制胜未来

英特尔拥有完整的前沿研发计划，一些正处于研究中的前瞻项目包括：纳米线晶体管（Nanowire Transistor）、III-V材料（ III-V Materials）、3D堆叠（3D Stacking）、高密度内存（Dense Memory）、微缩互联（Scaling Interconnects）、极紫外（EUV）光刻技术（Extreme Ultraviolet Lithography）、自旋电子（Spintronics）、神经元计算（Neuromorphic Computing）等。