华灿光电在氮化镓领域的进展概述

7月31日，是世界氮化镓日。在这个充满探索与突破的时代，氮化镓凭借其卓越的特质和广袤的应用维度，化作科技领域的一颗冉冉升起的新星。氮化镓的登场，给电子行业带来了具有里程碑意义的创新。其高电子迁移率、高击穿电场和高热导率等特性，使其在功率器件、射频器件及光电转化设备等展现出无与伦比的优势。这不仅大幅提升了相关器件的效率和稳定程度，还为全球能源合理运用、环境友好型发展等重要课题带来了新的希望和助力。

京东方华灿光电作为最早一批布局氮化镓行业的企业之一，在这个特殊的日子，向氮化镓这个具有划时代意义的材料致以最诚挚的敬意。京东方华灿光电首席技术官王江波博士在接受充电头网采访的时候表示：在庆祝世界氮化镓日之际，京东方华灿深感荣幸能作为行业一员，共同见证氮化镓在半导体领域的飞速发展。氮化镓作为第三代半导体的核心材料，其卓越的性能为充电领域带来了革命性的突破。我们坚信，氮化镓技术的应用将不断推动充电技术的创新与进步，为用户带来更加高效、安全的充电体验。京东方华灿将持续关注氮化镓技术的最新动态，并致力于将其应用于更多领域，为行业发展贡献自己的力量。 在氮化镓技术的浪潮中，京东方华灿光电始终站在技术创新的前沿，不断探索与突破。近年来，公司在氮化镓材料的研发、生产及应用方面取得了显著进展。

在氮化镓器件方面，京东方华灿光电以消费电子市场作为起步，逐步走向数据中心，工业车用等中大功率电力电子市场。对此，京东方华灿光电已开发出多款的650V系列产品，储备产品电压高达1200V，覆盖不同的功率范围，搭配多种封装方式，可匹配手机快充、电脑适配器、服务器电源等不同场景的需求。

自有外延对应的器件良率已达到理想投产水平，可实现较好的器件结果和性能参数。京东方华灿光电已实现在6/8英寸硅衬底上无裂纹HEMT外延的优化，在表面粗糙度和厚度一致性已达到理想的水准。根据测试验证，京东方华灿光电GaN外延的阈值电压、耐压、栅压容限等静态参数均可对标国内外头部产品。

自有工艺线方面，京东方华灿光电23年已经全面通线，可以实现从外延到芯片的流片，24年CP良率已达目标水平。

自有衬底工厂蓝晶科技已经实现6inch 蓝宝石衬底的规格优化和量产，也开始了8inch 蓝宝石衬底的产品储备，能够为自产高压、高性价比的GaN on sapphire器件全面赋能。

在应用方案方面，已开发完成30~150W参考设计，可提供给客户更好的技术支持服务。

展望未来，随着技术的创新与发展，氮化镓在电机控制、车载充电等方面的应用也将迎来爆发式增长。京东方华灿光电将加强上下游产业链合作，共同推动技术进步和产业升级，为人类社会带来更加高效、安全、绿色的生活方式。