随着万物智联时代的到来,人工智能、智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求,促使新型存储器迅速发展,其中,铁电存储器是一种理想的存储器,在计算机、航天航空等领域具有广阔的应用前景。国产铁电存储器SF25C20具有2M容量,25MHz的工作频率,可用于100万次读写,能满足设备快速通信需求,有助于提高网络设备性能。
目前,国芯思辰已量产的铁电存储器产品,与EEPROM和闪存相比,具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。到目前为止,这些高可靠性产品已成功应用于工业、基础设施及消费电子领域。

SF25C20的核心技术是铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,不需要电池就可以保持数据,它的工作电压范围为2.7V至3.6V,最低待机功耗只有9微安,能在低电流的情况下瞬间保存数据,确保系统中的信息安全。其应用特点如下:
1、SF25C20的存储单元可用于100万次读写,数据保持:10年@85℃(200年@25℃),当设备掉电后数据也不会丢失。
2、SF25C20最大功耗为5mA,待机电流仅7μA,可以有效降低设备的功耗。
3、SF25C20支持SPI串行接口,采用SOP8小封装,节省PCB板设计空间,便于布局。
4、SF25C20工作环境温度范围是-40℃至85℃,符合工业环境的应用。
5、SF25C20性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(赛普拉斯);

注:如涉及作品版权问题,请联系删除。
-
网络设备
+关注
关注
0文章
355浏览量
30923 -
铁电存储器
+关注
关注
2文章
200浏览量
18848 -
国芯思辰
+关注
关注
1文章
1184浏览量
2535
发布评论请先 登录
安森美NHP160SF与NRVHP160SF超快速整流器:紧凑高效的电子解决方案
深入解析富士通MB85RS64V FRAM芯片:特性、应用与设计要点
富士通MB85RC256V FRAM:高性能非易失性存储器的卓越之选
技术解析|MB85RS256B FRAM 工业级存储方案
NVTFS4C25N单通道N沟道功率MOSFET全解析
ATtiny25/45/85:高性能低功耗8位微控制器的技术解析
NXP K20P100M100SF2V2芯片:设计工程师的全面指南
FRAM的“永久记忆”如何实现 从铁电材料到车规芯片的技术之路
深入解析DS25MB100:2.5 Gbps 2:1/1:2 CML Mux/Buffer的卓越性能与应用
深入解析AT25SF2561C/AT25QF2561C:高性能SPI串行闪存的技术探秘
富士通FRAM秒写实时数据
网络设备为什么选用25MHz及倍数频率?
网络设备为什么选用25MHz及倍数频率?
三大核心网络设备的运维要点
有助于提高网络设备性能的FRAM SF25C20(MB85RS2MT)
评论