特瑞诺TRINNO高性能IGBT说明介绍
今天为大家介绍一款特瑞诺(TRINNO)坚固耐用、性能卓越的IGBT ，这款IGBT器件TGH80N65F2DS的额定电压为650V，具有快速恢复反并联二极管，漏电流极低，在高结温和低结温下也表现出出色的传导和开关特性。
TGH80N65F2DS IGBT 采用先进的细沟槽栅极场截止 (FS) 技术，可确保整个器件的电场分布一致。该技术使 IGBT 能够承受更高的击穿电压，并增强其动态控制能力。这些器件将通过提供传导和开关损耗之间的最佳平衡以及改进的电磁干扰 (EMI )设计，提高中高开关频率的各种电源转换设计的效率。
TGH80N65F2DS绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 提供 650V/80A的额定电压和电流。这些 IGBT 提供 TO247 或 TO-247-3L 封装，具体取决于所选的具体器件。所有器件均可在最高结温 (Tj) 175°C 下工作，并且已在此极限下接受高压 H3TRB(高湿度、高温和高压反向偏置)和 100% 偏置 HTRB(高温反向偏置)测试。
专为太阳能逆变器、电机控制系统、不间断电源 (UPS) 和焊接应用而设计，正温度系数使其更易于并联运行，适用于需要更高性能的应用，裸片、分立和模块产品变体的可用性为各种目标设计提供了灵活性。
特征
• 650V场阻沟槽IGBT技术
• 宽温度范围的低开关损耗
• 正温度系数
• 轻松并行操作
• 符合RoHS
• JEDEC资格
• 175℃工作温度
应用
• UPS、逆变器、太阳能、焊机
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