2025年12月2日,三星电子正式发布Galaxy Z TriFold,进一步巩固了三星在移动AI时代中针对形态创新的行业优势。
发表于 12-03 17:46
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苹果称正与三星公司在奥斯汀的半导体工厂合作,开发一种创新的新芯片制造技术。 在新闻稿中苹果还宣布了将追加1000亿美元布局美国制造,这意味着苹果公司未来四年对美国的总投资承诺达到6000亿美元。 有业内观察人士认为,这款芯
发表于 08-07 16:24
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深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收
发表于 05-19 10:05
较为激进的技术路线,以挽回局面。
4 月 18 日消息,据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道,三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率,这高于
发表于 04-18 10:52
据三星电子晶圆代工业务制定的年度计划显示,该部门今年的设备投资预算将大幅缩减至5万亿韩元(约合253.55亿元人民币)。与2024年的10万亿韩元相比,今年的投资预算直接砍半,显示出
发表于 02-08 15:35
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——7.05万亿韩元,显示出三星电子在经营和盈利能力上的稳健。 在资本支出方面,三星电子在2024年的总支出为53.6万亿韩元,其中芯片资本支出占据了大部分,达到了46.3万亿韩元。这
发表于 02-05 14:56
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DRAM内存产品面临的良率和性能双重挑战,已决定在2024年底对现有的1b nm工艺进行改进,并从头开始设计新版1b nm DRAM。然而,三星电子现在对此表示否认,强调其并未有重新设计1b DRAM的计划。 尽管
发表于 01-23 15:05
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,相较于2024年的10万亿韩元投资规模,这一数字出现了大幅下降。这一决策的背后,反映了三星电子在当前市场环境下的战略调整。 回顾过去几年,三星晶圆代工在2021年至2023年期间进行
发表于 01-23 14:36
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工厂和华城S3工厂。尽管投资规模有所缩减,但三星在这两大工厂的项目推进上并未止步。 平泽P2工厂方面,三星计划将部分3nm生产线转换到更为先进的2nm工艺,以进一步提升其半导体制造技术
发表于 01-23 11:32
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据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临
发表于 01-23 10:04
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近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球
发表于 01-14 14:21
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在电子元器件领域,三星贴片电容以其出色的性能和广泛的应用赢得了广泛认可。选择适合的三星贴片电容不仅关乎电子设备的性能和稳定性,还直接影响到产品的可靠性和成本。为了帮助买家更好地进行选型
发表于 01-08 14:26
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的敏锐洞察,也预示其在该领域的深度布局和加倍下注。 根据一份公开的监管文件,三星电子于本周二正式宣布,通过行使看涨期权的方式,向Rainbow Robotics注入了高达2675亿韩元(约合1.815亿美元)的资金。这一大手笔的投资
发表于 01-02 10:41
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12月31日消息,据韩媒报道,三星电子考虑直接由公司自身对用于FOPLP工艺的半导体玻璃基板进行投资,以在先进封装方面提升同台积电竞争的实力。目前在三星系财团内部,
发表于 01-02 10:38
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在现代电子制造中,原装物料的质量直接影响着产品的性能和可靠性。因此,辨别三星原装物料成为了许多电子产品制造商和采购人员的重要任务。容乐电子作为专业的元器件供应商,且是
发表于 12-13 15:29
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