安森美发布高功率密度IGBT模块，助力能源系统优化

在智能电源和感知技术领域，美国纳斯达克上市的安森美公司（onsemi，股票代码：ON）再次展现其技术实力。近日，该公司正式发布了第7代1200VQDual3绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率模块，标志着电力电子领域又一大步的飞跃。

这款最新的QDual3模块，在功率密度方面实现了显著的提升，相较于同类产品，它能够提供高达10%的输出功率增长。其背后的核心技术是全新的场截止第7代（FS7）IGBT技术，不仅确保了高效的能量转换，更为用户带来了更低的系统成本和更为简洁的设计。

值得一提的是，当QDual3模块应用于150千瓦的逆变器中时，其损耗相较于最接近的竞品减少了200瓦（W），这意味着散热器的尺寸可以大幅缩减，从而进一步降低了系统的整体成本和维护难度。

QDual3模块不仅性能卓越，还具备出色的耐用性。专为恶劣环境下工作而设计，它特别适用于大功率变流器，如太阳能发电站的中央逆变器、储能系统（ESS）、商用农业车辆（CAV）以及工业电机驱动器。这些应用环境通常对设备的稳定性和可靠性有着极高的要求，而QDual3模块无疑能够胜任这些挑战。

为了满足不同用户的需求，安森美提供了两种型号的QDual3模块：NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG。无论是哪种型号，都充分体现了安森美在智能电源和感知技术领域的深厚积累和创新能力。未来，我们有理由相信，安森美将继续引领电力电子领域的发展潮流。