南京中科微Si24R2F+ 芯片应用原理图更新
”致各合作伙伴
Si24R2F+ 芯片应用原理图已更新，请联系各地经销商获取最新资料，尽快更新！
具体更新位置如下，
C1电容值，调整为 100nF
L3电感值，调整为3.9nH
C7电容值，调整为 22nF
优化：电池端使用较小储能电容时，个别芯片会小概率复位和死机。
本次更新后的数据手册版本号为：Si24R2F_Plus_数据手册_V0.8 
#02-其它更新
Si24R2H 更新应用原理图
注意事项：
① 芯片底部需接地；
② SDA引脚在不使用外部温度传感器时，也需接上拉电阻至电源；
③ 重要更新，更新 2.4G部分RF匹配电路， L4电感值从 1nH修改为 3.9nH,C14电容值从 10nF修改为 22nF。修改原因为优化频偏、优化125KHz信号对2.4GHz信号的干扰；
④ C7电容值 由 2.2uF修改为 100nF。
多功能应用原理图
NTC测温 2.4G(BLE)发射应用原理图
2.4G+125K 应用原理图
本次更新后的数据手册版本号为：Si24R2H_数据手册_V1.7
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原文标题：Si24R2F+ 芯片应用原理图更新！请联系各地经销商获取最新资料！
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