8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆亮相九峰山论坛

长江日报大武汉客户端4月10日讯（记者李琴通讯员张希为）正在中国光谷举行的2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会上，九峰山实验室展出了刚刚下线的全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆。该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，可以制造目前全球综合性能最优的光电集成芯片。这也是该项成果首次公开亮相。

九峰山实验室工艺中心总经理柳俊介绍，由于铌酸锂材料本身的脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆的制备工艺一直是业界的难题，目前，全球对薄膜铌酸锂的研发主要集中在6寸晶圆上，“此项成果由九峰山实验室联合重要产业合作伙伴开发，在工艺和技术上达到了全球领先，将尽快实现产业商用”。

记者现场看到，除8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆外，九峰山实验室还展出了6寸碳化硅新型沟槽MOSFET晶圆等一系列突破性产品。“边建设边开发”，柳俊表示，得益于前期的技术积累和从全球引进的顶尖人才，九峰山实验室才能快速地在化合物半导体领域作出自己的贡献，“有信心在未来实现更多新技术上的突破，在全球化合物半导体产业的发展中发挥引领作用”。

九峰山实验室展台上，“集智九峰、筑芯光谷”8个大字引人注目。现场了解到，作为湖北十大实验室之一，2021年成立的九峰山实验室以建设先进的化合物半导体研发和创新中心为愿景，在中国光谷建立起世界级的实验基础设施，将来自世界各地的才智聚集在一起，建立由合作伙伴组成的全球生态系统，打造开放、公共、共享的科研中心，构建可持续发展的未来。

柳俊介绍：“九峰山实验室拥有业界领先的化合物半导体基础设施，从化合物半导体产品设计、外延生长、流片到测试，提供全链条的一站式服务。”

毗邻九峰山实验室展台，是4家由九峰山实验室产业带动培育发展的企业的展位。其中，武汉驿天诺科技有限公司与九峰山实验室合作开发的项目，已通过可靠性测试验证，所有指标对标国际先进水平，达到国内领先地位。“希望他们的产品能让更多客户看见，快速打入市场。”柳俊说。

“面向科技前沿，力争突破，实现技术上的全面领先。”他表示，未来九峰山实验室还将针对第四代半导体前沿布局，“希望在第四代半导体成熟阶段，有更大机会实现更多产品和技术上的引领。”

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