意法半导体(ST)近日宣布,公司成功研发出基于18纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术,并整合了嵌入式相变存储器(ePCM)的先进制造工艺。这项新工艺技术是意法半导体与三星晶圆代工厂共同研发的成果,旨在推动下一代嵌入式处理器的升级进化。
据悉,该新工艺技术不仅实现了嵌入式处理应用性能和功耗的巨大飞跃,而且能够集成更大容量的存储器和更多的模拟及数字外设,为嵌入式系统的设计和应用带来了更广阔的可能性。
基于这项新技术的下一代STM32微控制器的首款产品将于2024年下半年开始向部分客户提供样片,预计于2025年下半年正式投入生产。这一举措无疑将加速嵌入式处理器市场的发展,为相关行业带来更多创新和机遇。
此次意法半导体的新工艺技术的发布,再次证明了公司在半导体领域的强大研发实力和技术创新能力。未来,我们期待意法半导体能够继续推出更多具有创新性和实用性的产品,为半导体行业的发展注入更多动力。
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