0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Qorvo发布碳化硅场效应晶体管产品

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-02-01 10:22 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

Qorvo最近发布了一款新的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品,这款产品专为电动汽车(EV)而设计,符合车规标准。

这款产品采用了紧凑的D2PAK-7L封装,实现了业界领先的9mΩ导通电阻RDS(on)。作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,其最高可达60mΩ的导通电阻值,非常适合车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数(PTC)加热器模块等电动汽车类应用。

全新的750V系列产品是对Qorvo现有的1200V和1700V D2PAK封装车用SiC FET的补充,打造了完整的产品组合,可满足400V和800V电池架构电动汽车的应用需求。

随着电动汽车市场的不断扩大和技术的不断进步,对于高效、可靠的电力电子解决方案的需求日益增长。Qorvo的这款SiC FET产品凭借其卓越的性能和紧凑的封装,为电动汽车设计提供了新的可能性和更高的性能。

Qorvo一直致力于创新和突破,以满足市场对高效、可靠和紧凑的电子解决方案的需求。这次推出的SiC FET产品再次证明了Qorvo在技术上的领先地位和对电动汽车市场的深度理解。

未来,随着电动汽车市场的持续发展,我们期待Qorvo能够继续推出更多创新的产品,为电动汽车的设计和性能提升提供更多可能。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 场效应晶体管

    关注

    6

    文章

    401

    浏览量

    20362
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3309

    浏览量

    51715
  • Qorvo
    +关注

    关注

    17

    文章

    716

    浏览量

    80282
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    安森美收购Qorvo碳化硅业务,碳化硅行业即将进入整合趋势?

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)安森美在12月10日宣布,已经与Qorvo达成协议,以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon
    的头像 发表于 12-15 07:30 4089次阅读
    安森美收购<b class='flag-5'>Qorvo</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>业务,<b class='flag-5'>碳化硅</b>行业即将进入整合趋势?

    无结场效应晶体管器件的发展历程

    2010年,爱尔兰 Tyndall 国家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三栅无结场效应晶体管,器件结构如图1.15所示。从此,半导体界兴起了一股研究无结场效应晶体管的热潮,每年的国际
    的头像 发表于 05-19 16:08 663次阅读
    无结<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>器件的发展历程

    无结场效应晶体管详解

    当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成:双极结型晶体管(BJT)包含两个背靠背的PN 结,MOSFET也是如此。结型场效应晶体管(JFET) 垂直于沟道方向有一个 PN结,隧道穿透
    的头像 发表于 05-16 17:32 982次阅读
    无结<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>详解

    TC1201低噪声和中功率GaAs场效应晶体管规格书

    电子发烧友网站提供《TC1201低噪声和中功率GaAs场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
    发表于 03-17 17:15 0次下载

    LT1541SIJ P沟道增强型场效应晶体管数据表

    电子发烧友网站提供《LT1541SIJ P沟道增强型场效应晶体管数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-07 11:33 1次下载

    LT1756SJ N沟道增强型场效应晶体管规格书

    电子发烧友网站提供《LT1756SJ N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
    发表于 03-05 17:29 0次下载

    LT1729SI P沟道增强型场效应晶体管规格书

    电子发烧友网站提供《LT1729SI P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
    发表于 03-04 18:05 0次下载

    LT1728SJ P沟道增强型场效应晶体管规格书

    电子发烧友网站提供《LT1728SJ P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
    发表于 03-04 18:02 0次下载

    鳍式场效应晶体管制造工艺流程

    FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构,旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管转换为三维结构来减少短沟道
    的头像 发表于 02-17 14:15 2226次阅读
    鳍式<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>制造工艺流程

    Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型

    电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
    发表于 02-13 15:23 7次下载
    Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>的高级SPICE模型

    互补场效应晶体管的结构和作用

    随着半导体技术不断逼近物理极限,传统的平面晶体管(Planar FET)、鳍式场效应晶体管(FinFET)从平面晶体管到FinFET的演变,乃至全环绕栅或围栅(GAA
    的头像 发表于 01-24 10:03 4223次阅读
    互补<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>的结构和作用

    一文解析现代场效应晶体管(FET)的发明先驱

    朱利叶斯·埃德加·利利恩菲尔德在1925年申请的专利为场效应晶体管奠定了理论基础。 虽然第一个工作的场效应晶体管(FET)直到1945年才出现,但这个想法早在近20年前,即朱利叶斯·埃德加·利利恩
    的头像 发表于 01-23 09:42 1323次阅读
    一文解析现代<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>(FET)的发明先驱

    安森美完成对Qorvo碳化硅JFET技术的收购

    安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
    的头像 发表于 01-16 16:30 1008次阅读

    安森美宣布将收购碳化硅结型场效应晶体管技术

    安森美宣布与Qorvo达成协议,以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司United Silicon Carbide。这一举措将补足安森美广泛
    的头像 发表于 12-13 18:10 1164次阅读

    安森美1.15亿美元收购Qorvo碳化硅JFET技术业务

    近日,安森美半导体公司宣布了一项重要的收购计划,以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司United Silicon Carbide。 据
    的头像 发表于 12-11 10:00 904次阅读