MOS管损坏的原因及解决方案

MOS在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。

MOS主要损耗也对应这几个状态：开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。

只要把这些损耗控制在MOS承受规格之内，MOS即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同MOS这个差距可能很大。

Mos开关原理 ：Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片能承受的最大导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻），内阻越小承受电流越大（因为发热小）。

静电放电和高温

静电放电是指在MOS管与其他元件或人体之间发生的电荷交换现象，如果静电放电能量过大，会导致MOS管的击穿或损坏。

MOS管在高温环境下工作时，将降低其电性能，进而引起烧坏。同时，高温也会损坏MOS管的封装材料，导致漏电等问题。

因此，要保证焊接点的质量和稳定性。避免出现虚焊、冷焊等现象。也要关注散热问题，通过加装散热片、风扇等散热装置来降低高温问题。

MOS管控制端栅极串联电阻是否过大？

虽然MOS管属于电压控制型器件，但是该电阻不能省，串联该电阻起到隔离保护作用。

若该电阻太大，因为MOS管会有结电容，管子太大充电速度慢，管子很长时间达不到饱和开通状态，从而过热烧毁。该电阻阻值一般10k以内即可。

若为正反转控制电机驱动电路，如下图4个二极管不能省，这4个二极管属于电机线圈续流二极管，用于保护控制电路，若控制管使用的是MOS管，其内部一般会有寄生二极管，不需要外接。

MOS管体二极管的缓慢反向恢复

诸如特斯拉线圈之类的高 Q 谐振电路能够在其电感和自电容中存储大量能量。

在某些调谐条件下，当一个MOS管关闭而另一个器件打开时，这会导致电流“续流”通过 MOS管的内部体二极管。

这个原本不是什么问题，但当对面的MOS管试图开启时，内部体二极管的缓慢关断（或反向恢复）就会出现问题。

与MOS管 自身的性能相比，MOS管 体二极管通常具有较长的反向恢复时间。如果一个 MOS管的体二极管在对立器件开启时导通，则类似于上述击穿情况发生“短路”。

这个问题通常可以通过在每个MOS管周围添加两个二极管来缓解。

首先，肖特基二极管与MOS管源极串联，肖特基二极管可防止MOS管体二极管被续流电流正向偏置。其次，高速（快速恢复）二极管并联到MOS管/肖特基对，以便续流电流完全绕过MOS管和肖特基二极管。

这确保了MOS管体二极管永远不会被驱动导通，续流电流由快恢复二极管处理，快恢复二极管较少出现“击穿”问题。

雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。

典型电路：