英特尔2月21日发布新工艺路线图，或将引入RibbonFET环栅晶体管

为实现IDM 2.0战略，英特尔在2021年宣布启动“四年内五个节点”（简称‘5N4Y’）计划。其中，Intel 18A（1.8nm级）技术将作为该项目的最高峰，计划在2025年初投产。然而，对于未来的规划仍未披露详情，仅确定英特尔将于春节后揭示新工艺的具体蓝图。

值得关注的是，英特尔将在2月21日出席IFS Direct Connect活动，届时，英特尔晶圆代工服务IFS将重点探讨5N4Y之后的研发方向。此次会议将邀请到英特尔首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）、IFS总经理斯图·潘恩、英特尔供应链及运营总经理哈利凡·埃斯法贾尼、负责工艺技术开发的执掌安妮·凯莱赫等核心人物发表主旨演讲。

英特尔对此次活动的定位如下： “诚挚邀请您倾听英特尔高层精英、技术专才以及各方合作伙伴深度解读我们的战略布局、卓越工艺技术、尖端封装技巧与生态建设。旨在让您深入理解英特尔的代工厂服务如何助力贵司充分利用英特尔强大的弹性供应实力构筑芯片设计。”

然而，关于后续工艺革新的具体信息尚未明确，但是考虑到英特尔擅长的技术创新习性，其新工艺将在Intel 18A的基础上进一步升级。尤其是Intel 20A已经引入了业界领先的RibbonFET环栅晶体管和PowerVia背面供电网络（BSPDN），因此，预计这两个技术将会继续深化应用。另外，基于半导体技术的复杂性，英特尔需要针对各类应用场景适时调整工艺策略。以Intel 3为例，它具备丰富的高性能计算资源库和卓越的驱动电流，适用于数据中心级别的处理器需求。至于此种模式将来能否推广至更多类型的节点服务，以及英特尔是否打算提供更多专属节点，尚需观察后续进展。