学习FPGA必须知道的社区
学习FPGA一般推荐从数电开始起，要掌握了解基本的数字电路的原理和规律，这个部分很多专业有教，市场上也有很多书籍和视频学习，但是这样仅仅是具备入门的门槛而已。
要开始学习FPGA还是要从硬件描述语言开始起，这个不同于C语言，硬件描述语言用的比较多的是verilog 它不同于C，需要理解这个是用来描述硬件的，而不是执行程序。所以，这里需要花一定的时间来理清楚代码和电路之间的关系。
需要花时间从代码仿真开始起，这个时候还用不上开发板，仅需仿真即可，仿真都不过，下载到板卡更加不会通过，反而浪费大量的学习时间。
推荐给大家一个天花板学习的刷题网站：F学社-全球FPGA技术提升平台
在线刷题，里面竟然有200多道FPGA编程题，从基本的门电路到组合逻辑，时序逻辑的都有，可以在线仿真验证设计的正确性，并且还可以实时转化成电路图和波形图，能够让初学者很容易搞清楚verilog 代码和硬件电路图之间的联系。特别方便。
可以在线编辑的电路图：
可以在线仿真，实时输出结果，并且速度还挺快，能够告知正确与否，并且还能实时显示错误代码行。 还有个答疑的功能，可以在线提问，其他网友一起帮忙解答。
实时的波形图显示，可以放大，缩小，查看波形信号
不光有众多题目，还有好多视频可以跟着一起学
当你把这些题目都刷完了，说明你对语言部分已经掌握，下一步就是下载到板卡拉，这个时候，你就要考量板卡上的FPGA资源，IO，时序，等等，跟着视频慢慢学习下去，FPGA设计就是如同学习开车一样的一个技能，需要不停的实战才能有更多的学习经验，光靠看看视频肯定不行的。
审核编辑 黄宇
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一、认识米勒电容
如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。
其中：
输入电容Ciss=Cgs+Cgd，
输出电容Coss=Cgd+Cds，
反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。
然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源极电容的充电。
二、理解米勒效应
米勒效应是指MOS管g、d的极间电容Crss在开关动作期间引起的瞬态效应。
可以看成是一个电容的负反馈。在驱动前，Crss上是高电压，当驱动波形上升到阈值电压时，MOS管导通，d极电压急剧下降，通过Crss拉低g脚驱动电压，如果驱动功率不足，将在驱动波形的上升沿阈值电压附近留下一个阶梯，如下图。
有时甚至会有一个下降尖峰趋势平台，而这个平台增加了MOS管的导通时间，造成了我们通常所说的导通损耗。
三、MOS管的开通过程
①t0—t1阶段
这个过程中，驱动电流ig为Cgs充电，Vgs上升，Vds和Id保持不变。一直到t1时刻，Vgs上升到阈值开启电压Vg（th）。在t1时刻以前，MOS处于截止区。
②t1—t2阶段
t1时刻，MOS管就要开始导通了，也就标志着Id要开始上升了。这个时间段内驱动电流仍然是为Cgs充电，Id逐渐上升，在上升的过程中Vds会稍微有一些下降，这是因为下降的di/dt在杂散电感上面形成一些压降。
从t1时刻开始，MOS进入了饱和区。在饱和有转移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨导，只要Id不变Vgs就不变。Id在上升到最大值以后，而此时又处于饱和区，所以Vgs就会维持不变。
③t2—t3阶段
从t2时刻开始，进入米勒平台时期，米勒平台就是Vgs在一段时间几乎维持不动的一个平台。此时漏电流Id最大。且Vgs的驱动电流转移给Cgd充电，Vgs出现了米勒平台，Vgs电压维持不变，然后Vds就开始下降了。
④t3~t4阶段
当米勒电容Cgd充满电时，Vgs电压继续上升，直至MOS管完全导通。
以上是MOS管开通的四个过程。
所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。
四、米勒效应能避免吗？
由上面的分析可以看出米勒平台是有害的，造成开启延时，导致损耗严重。但因为MOS管的制造工艺，一定会产生Cgd，也就是米勒电容一定会存在，所以米勒效应不能避免。
目前减小 MOS 管米勒效应的措施如下：
1. 提高驱动电压或者减小驱动电阻，目的是增大驱动电流，快速充电。但是可能因为寄生电感带来震荡问题；
2.ZVS 零电压开关技术是可以消除米勒效应的，即在 Vds 为 0 时开启沟道，在大功率应用时较多。
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