Fujitsu FRAM 在汽车电子上的应用案例

汽车电子上要求存储系统必须能够在车辆事故中保存下来——由于碰撞可能导致汽车的低压系统断电，存储需要一种无需连接电源即可保存数据的原生非易失性存储器。除此之外，记录数据的存储必须满足一些严格的条件。

汽车存储器的基本要求

1）非易失性：这是基本要求，数据得记下来

2）恶劣环境下的生存性：碰撞以后，存储器的数据得保存下来

3）工作时间和寿命：汽车的生命周期很长，在车旧了以后存储器也需要能工作

4）低功耗：如果功耗太高，对于设计保存机制会存在困难

5）刷写快：碰撞的时间很短，如果电源断电，数据需要快速写上去

从Flash、EEPROM到F-RAM，汽车存储器的技术标准在不断变化，主要的维度还是更快的刷写。对于自动辅助驾驶系统而言，把数据快速存下来很方便。F-RAM存储器（结合了RAM和ROM的优势）比EEPROM拥有更多优势，主要是不需要写等待时间，几乎可以实时存储重要数据(实际10us存储时间)；相比之下，EEPROM通常需要超过10毫秒的写入等待时间。

FRAM在写入速度和功率方面都远远优于浮栅器件。对于时钟频率为20MHz的典型串行EEPROM，写入256位（32字节页面缓冲区）需要5毫秒，写入整个64Kb需要1283.6毫秒。对于等效的FRAM，256位仅需14µs，写入整个64Kb仅需3.25ms。此外，将64Kb写入EEPROM需要3900µJ，而将64Kb写入F-RAM需要17µJ，相差超过229倍。

FeRAM的最大优势是可以保证大量数据的读写周期。由于它可以重写高达100万亿次的数据，因此我们的FeRAM适用于频繁重写数据的用途。例如，FeRAM存储器已被采用为记录仪表，测量仪器，工业机器人和汽车信息的常用存储器。

汽车的应用场景

在整个使用场景，存储器的应用广泛覆盖了各种传感器带来的数据，比如自动辅助驾驶、仪表系统（里程和关键信息），电池管理系统、行车记录仪、娱乐系统和网关系统。事实上，如果设计考究，在很多地方都可以使用这种存储器。

汽车仪表

F-RAM记录时时变化的仪表数据

·非易失性存储器

·高可靠性

·FeRAM无需写等待，快速读写

·低功耗，静态电流小于10uA

·无限次的擦写次数(一万亿次)

车载DVD

FeRAM记录GPS轨迹,DVD掉电轨迹，数字收音机频道信息

推荐型号：MB85RS64T

·非易失性存储器

·FeRAM无需写等待，快速读写

·低功耗

安全气囊

FeRAM在安全汽囊应用：

推荐型号MB85RS64V

·FeRAM无需写等待，具有非常快的响应速度(50ns)

·非易失性存储器，不需要电池备份，(高可靠性)

·无限次的擦写次数(一万亿次)

车行驶记录仪

FeRAM在汽车行驶记录仪中应用:

存储实时的数据如速度、刹车.

推荐型号：MB85RS64T

·非易失性存储器

·高可靠性

·FeRAM无需写等待，快速读写

·低功耗，静态电流小于10uA

·无限次的擦写次数(一万亿次)

F-RAM 拥有无限耐用性与其实时性、非易失性、高吞吐量和可靠的数据捕获相结合，使其成为针对汽车和工业应用中高性能数据记录的非易失性存储器的强大选择。由于F-RAM在各种掉电事故中，都能保证数据能存下来，确实是一种很好的存储器选择。

符合AEC-Q100可靠性实验标准

产品型号	内存容量 (bit)	输入电压 (V)	工作频率 (Hz)	工作温度 (。C)	读写耐久性 （读写次数）	数据保持时间（保证値）*3	封装类别
MB85RS4MTY	4M	1.8 to3.6	50M	-40 to+125	10万亿次	10年(+85。C)	DFN-8（SOP-8*4）
MB85RS4MLY	4M	1.7 to1.95	50M	-40 to+125	10万亿次	10年(+85。C)	DFN-8（SOP-8*4）
MB85RS2MTY	2M	1.8 to3.6	50M	-40 to+125	10万亿次	10年(+85。C)	DFN-8, SOP-8
MB85RS2MLY	2M	1.7 to1.95	50M	-40 to+125	10万亿次	10年(+85。C)	DFN-8, SOP-8
MB85RS256TY	256K	1.8 to3.6	40M	-40 to+125	10万亿次	10年(+85。C)	SOP-8
MB85RS128TY	128K	1.8 to3.6	40M	-40 to+125	10万亿次	10年(+85。C)	SOP-8
MB85RS64VY	64K	2.7 to5.5	33M	-40 to+125	10万亿次	10年(+85。C)	SOP-8