澎芯半导体主驱级SiC MOSFET产出良率达到75%
●推出主驱级新品——1200V/15mΩ SiC MOSFET，产出良率75%；
● 已联合模块和终端厂商开发出1200V/150A和1200V/400A的模块产品；
●SiC MOSFET产品系列化布局更加全面，在OBC、光储充等领域实现批量应用。
车规SiC MOS新品 性能优异
12月12日上午，行家说三代半了解到，澎芯半导体1200V电压平台迎来新的成员——1200V/15mΩ的SiC MOSFET产品。
据了解，该产品由澎芯半导体自主设计研发，拥有自主知识产权，并且联手国内标杆SiC晶圆厂制造完成，产品各项参数性能指标表现非常优异，产出良率达到75%。
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合作开发 新增2款模块产品
据悉，澎芯半导体在前期工程批已完成各项性能指标的考核验证，现已联合模块客户(模块封装厂)和终端使用客户共同定义开发出1200V/150A和1200V/400A的模块产品，后续可提供晶圆和客制化模块两大类产品。
产品系列化 发展加速提档
随着此产品的推出，澎芯半导体的SiC MOSFET产品系列化布局更加全面，包括以下：
审核编辑：刘清
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原文标题：全国产！主驱级SiC MOSFET高良率达产
文章出处：【微信号：SiC_GaN，微信公众号：行家说三代半】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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