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上海微系统所发布面向5G NR与WiFi6的双模SAW滤波器

半导体产业纵横 来源:中国科学院上海微系统所 2023-12-27 18:22 次阅读

射频滤波器技术含量很高,多家中国本土企事业单位在攻关。

近日,第69届国际电子器件大会(IEDM 2023)在美国旧金山召开。上海微系统所欧欣研究员课题组以口头报告形式发表了题为“Miniaturized Dual-Mode SAW Filters using 6-inch LiNbO3-on-SiC for 5G NR and WiFi 6”的最新研究成果,博士生郑鹏程、张师斌副研究员、华南理工大学徐金旭副教授为本论文共同第一作,张师斌副研究员、欧欣研究员为论文共同通讯作者。IEDM会议被誉为半导体领域的“奥林匹克盛会”,是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的顶尖论坛

本工作中,课题组基于自主研制的6英寸高质量X-cut LiNbO3/SiC异质集成衬底,在国际上率先提出面向5G/6G、WiFi 6/7应用的“双模激励,多频集成”的高性能、低成本的声表面波(SAW)滤波器技术。传统的SAW滤波器通常在单一设计方向上激发单一的声波模式(例如瑞利波、水平剪切波SH-SAW、纵向漏波LL-SAW等),且工作频率难以突破3GHz,仅适合于传统4G LTE频段,难以在高频段与FBAR、IPD等技术抗衡。

如图1所示,由于X-cut LiNbO3面内的强各向异性以及SiC衬底极高声速的特性,高机电耦合系数、高Q值的LL-SAW和SH-SAW模式可同时在LiNbO3/SiC异质衬底的不同面内方向上激发,即利用完全相同的器件设计,在不同面内方向上可分别得到高频、中频两种滤波器响应。如图2(a-b)中,在1.01.5μm的波长下,SH-SAW和LL-SAW谐振器分别在34GHz和4.7~6.3GHz的频率范围内展现出高机电耦合系数和高Q值。图2(c)中,两颗SH-SAW滤波器在5G N77频段展现出495MHz和391MHz的带宽以及<1dB的插损;图2(d)中,一组LL-SAW滤波器在Wi-Fi 6频段亦展现出大带宽和低损耗。

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图1:双模态SAW滤波器技术示意图

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图2:双模态(a-b)谐振器和(c-d)滤波器的实测结果

为进一步验证双模态SAW技术在复杂网络(如双工器、多工器等)中的应用前景,本工作中还设计了5G N79 & Wi-Fi 6和5G N77 & 5G N79的高性能双通带滤波器响应(图3),版图尺寸<1mm 2。本工作从高质量异质晶圆、高频谐振器、高性能分立滤波器和双通带滤波器4个维度,全面验证了碳基SAW技术在3~7GHz频段的应用潜力,有望形成一条独具特色的高性能、低成本、高集成度射频滤波器解决方案。

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图3:面向5G/6G、Wi-Fi 6/7应用的双通带滤波器

值得一提的是,自从在国际上首次验证SiC基异质集成SAW滤波器技术(IEEE T-MTT, vol. 68, no. 9, pp. 3653-3666, Sept. 2020)以来,本团队一直致力于高声速异质集成材料的工程化批量制备与高性能SAW滤波器技术的前沿探索。图4展示了本团队在2023年度SiC基SAW技术上的代表性工作:(a) 实现了Q值高达11000的LiTaO3/SiC基SAW谐振器,并揭示了高Q值的新物理机制(IEEE EDL, vol. 44, no. 5, pp. 813-816, May 2023.);(b) 基于LiTaO3/SiC的高性能SAW谐振器和滤波器,无温补层的前提下实现近零温漂(IEEE T-MTT, vol. 71, no. 10, pp. 4182-4192, Oct. 2023.);(c) 基于LiNbO3/SiC的低损耗、大带宽LL-SAW滤波器(IEEE T-MTT, doi: 10.1109/TMTT.2023.3305078.)。同时,团队还荣获2022年度IEEE Microwave Prize、首届全国颠覆性技术创新大赛总决赛优胜奖、“国科大杯”创新创业大赛总决赛一等奖等荣誉。本团队将瞄准5G/6G、Wi-Fi 6/7应用需求,持续发力压电异质集成材料与SAW滤波器技术的创新研发、知识产权布局、工程化制备,为高端射频前端/滤波器的国产替代保驾护航。

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图4:2023年度课题组碳基SAW技术代表性成果一览:(a) 极高Q值(~11000)LiTaO3/SiC基SAW谐振器;(b) 基于LiTaO3/SiC的近零温漂高性能谐振器/滤波器;(c) 面向5G N79频段的高性能LL-SAW滤波器







审核编辑:刘清

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原文标题:上海微系统所发布面向5G Wi-Fi 6的双模SAW滤波器

文章出处:【微信号:ICViews,微信公众号:半导体产业纵横】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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