佳能推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备

日本佳能公司今日发布了FPA-1200NZ2C新型纳米压印半导体制造装置，称此创新技术将给众多中小半导体供应商提供优越的先进芯片制造方案。佳能首席执行官富士夫雄田曾指出，此类科技目前几乎被行业巨头垄断。

对于纳米压印技术，佳能半导体设备业务部岩本和德介绍道，它是通过将刻有半导体电路图的掩膜压制于晶圆之上完成二维或三维电路成型的过程。岩本进一步补充道，若对掩膜进行改良，将有可能实现2nm级别的电路线条宽度。目前来看，佳能的NIL技术已经达到5nm节点逻辑半导体的最细线路宽度极限。

在产业竞争中，ASML主导着5nm芯片制造设备市场，而佳能的纳米压印解决方案有望助其缩短与龙头企业之间的距离。

谈及设备预算问题，岩本和德称，购买方的预算取决于具体情况，预计每次光刻流程的成本仅为传统光刻设备成本的约一半。另外，得益于纳米压印设备的体积小巧，研究开发等环节引入变得更加容易。关于售价，虽然富士夫曾表态佳能纳米压印设备的价格会低于ASML的EUVE设备价格，但确切数据尚未确定。

值得一提的是，作为EUV设备潜在替代品，佳能已收到来自半导体厂商、学府以及科研机构等多方的关注和询问，其潜在应用覆盖闪存、计算机采用的DRAM以及逻辑等各类半导体领域。