0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

雪崩击穿和齐纳击穿区别有哪些

麦辣鸡腿堡 来源:网络整理 作者:网络整理 2023-12-30 17:06 次阅读

崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象,它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。

图片

一、雪崩击穿

物理机制

雪崩击穿是指在高电场作用下,半导体材料中的载流子在晶格中发生碰撞,产生大量的电子-空穴对,这些电子-空穴对又会继续与晶格中的原子发生碰撞,产生更多的电子-空穴对,形成一个正反馈过程,最终导致半导体材料中的电流急剧增加,形成雪崩击穿现象。

电压特性

雪崩击穿的电压特性表现为非线性,即击穿电压随着反向电压的增加而降低。这是因为在高电场作用下,半导体材料中的载流子浓度增加,使得电子-空穴对的产生速率加快,从而导致击穿电压降低。此外,雪崩击穿的击穿电压还受到温度、掺杂浓度等因素的影响。

应用

雪崩击穿广泛应用于二极管、三极管等半导体器件中。在这些器件中,雪崩击穿可以作为一种保护机制,当反向电压超过一定值时,器件内部的电流急剧增加,从而实现对器件的保护。此外,雪崩击穿还可以应用于高速开关等领域。

二、齐纳击穿

物理机制

齐纳击穿是指在高电场作用下,半导体材料中的价带电子被激发到导带,形成一个耗尽层。当反向电压继续增加时,耗尽层会逐渐变宽,直至达到一定的厚度。此时,如果反向电压继续增加,耗尽层中的电场强度将达到一个临界值,使得耗尽层中的电子获得足够的能量跃迁到价带,从而形成一个稳定的导电通道,实现齐纳击穿。

电压特性

齐纳击穿的电压特性表现为线性,即击穿电压与反向电压成正比。这是因为齐纳击穿是由耗尽层中的电子跃迁引起的,这个过程与反向电压的大小无关。此外,齐纳击穿的击穿电压还受到温度、掺杂浓度等因素的影响。

应用

齐纳击穿广泛应用于稳压二极管、瞬态抑制二极管等半导体器件中。在这些器件中,齐纳击穿可以作为一种稳定输出电压的机制。当输入电压或负载电流发生变化时,齐纳击穿产生的稳定导电通道可以使得输出电压保持在一个恒定的范围内。此外,齐纳击穿还可以应用于过压保护、浪涌保护等领域。

图片

三、总结

雪崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象,它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。雪崩击穿是一种非线性击穿现象,其击穿电压随着反向电压的增加而降低;而齐纳击穿是一种线性击穿现象,其击穿电压与反向电压成正比。在实际应用中,根据不同的需求和场景,可以选择不同类型的半导体器件来实现相应的功能。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电压
    +关注

    关注

    45

    文章

    5103

    浏览量

    114502
  • 雪崩击穿
    +关注

    关注

    0

    文章

    20

    浏览量

    7459
  • 半导体器件
    +关注

    关注

    12

    文章

    534

    浏览量

    31576
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    管的选择

    管的两种不同的工作机制:击穿(低压下)和雪崩击穿
    发表于 01-26 23:28

    00012 什么是击穿#半导体 #电子元器件

    学习电子知识
    发布于 :2023年05月28日 19:33:57

    00013 什么是雪崩击穿#半导体 #电子元器件 #知识分享

    雪崩击穿
    学习电子知识
    发布于 :2023年05月28日 19:34:27

    00014 击穿雪崩击穿区别#二极管 #半导体

    雪崩击穿
    学习电子知识
    发布于 :2023年05月28日 19:34:45

    Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着

    求大神相助,Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那,当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
    发表于 08-08 10:42

    齐纳二极管与击穿

    电压附近,从而实现了二极管的稳压功能。击穿  当PN结的掺杂浓度很高时,阻挡层就十分薄。这种阻挡层特别薄的PN结,只要加上不大的反向电压,阻挡层内部的电场强度就可达到非常高的数值。这种很强的电场
    发表于 04-28 08:46

    什么是击穿雪崩击穿击穿有什么区别

    在了解雪崩击穿击穿区别之前我们还是要先搞懂什么叫击穿
    发表于 03-27 10:15

    功率MOSFET雪崩击穿问题分析

    功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的
    发表于 07-06 13:49 5611次阅读
    功率MOSFET<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>击穿</b>问题分析

    雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思

    雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。这样,通过空
    发表于 02-27 11:49 3331次阅读

    《涨知识啦7》---雪崩击穿的判断条件:两‘系数’,一‘积分’

    《涨知识啦7》---雪崩击穿的判断条件:两系数,一积分 大家好,上周小赛收到童鞋的留言,不知道怎么判断器件是否达到雪崩击穿?那么本周小赛就给大家细致地讲解一下如何去判断
    发表于 04-07 15:54 4253次阅读
    《涨知识啦7》---<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>击穿</b>的判断条件:两‘系数’,一‘积分’

    PN结的雪崩击穿和齐纳击穿在温度升高时击穿电压变化方向相反?

    为什么PN结的雪崩击穿和齐纳击穿在温度升高的情况下,击穿电压变化方向相反?  PN结是半导体器件中最基本的组成部件之一,广泛应用于电力、电信、信息处理等领域。PN结的
    的头像 发表于 09-21 16:09 2277次阅读

    什么是雪崩击穿?单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同?

    什么是雪崩击穿?单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同?雪崩击穿失效机理是什么?
    的头像 发表于 11-24 14:15 1197次阅读

    何谓PN结的击穿特性?雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点?

    何谓PN结的击穿特性?雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点? PN结的击穿特性是指当在PN结上施加的电压超过一定的值时,PN结将发生
    的头像 发表于 11-24 14:20 1609次阅读

    雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿雪崩击穿 雪崩击穿是可逆的吗?

    雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿雪崩击穿 雪崩
    的头像 发表于 03-26 16:12 640次阅读

    一文详解齐纳击穿雪崩击穿

    该电流。但是,故障不是永久性的。当这个大的反向偏置被移除时,二极管将恢复到正常状态。二极管的击穿可以有两种类型:(a)齐纳击穿和(b)雪崩击穿
    的头像 发表于 05-05 14:38 389次阅读
    一文详解齐纳<b class='flag-5'>击穿</b>和<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>击穿</b>