针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。

经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia 在提供大规模、高质量的铜夹片 SMD 封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案 CCPAK 应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia 对此感到非常自豪。GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。这项技术为太阳能和家用热泵等可再生能源应用带来诸多优势，进一步加强了 Nexperia 为可持续应用开发前沿器件技术的承诺。该技术还适用于广泛的工业应用，如伺服驱动器、开关模式电源(SMPS)、服务器和电信应用。

Nexperia 的创新型 CCPAK 封装采用了 Nexperia 成熟的铜夹片封装技术，无需内部焊线，从而可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高了器件的可靠性。为了更大限度地提升设计灵活性，CCPAK GaN FET 提供顶部或底部散热配置，进一步改善散热性能。

GAN039-650NTB 的级联配置使其能够提供出色的开关和导通性能，此外其稳健可靠的栅极结构可提供较高的噪声容限。这一特性还有益于简化应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需使用标准硅 MOSFET 驱动器即可轻松驱动这些器件。Nexperia 的 GaN 技术提高了开关稳定性，并有助于将裸片尺寸缩小约 24%。此外，器件的 RDS(on) 在 25℃ 时仅为 33 mΩ（典型值），同时其具有较高的门极阈值电压和较低的等效的体二极管导通压降。

Nexperia 副总裁兼 GaN FET 业务部总经理 Carlos Castro 表示：

“Nexperia 深刻认识到，工业和可再生能源设备的设计人员需要一种高度稳健的开关解决方案，以便在进行功率转换时实现出色的热效率。因此 Nexperia 决定将其级联 GaN FET 的优异开关性能与其 CCPAK 封装的优越热性能结合起来，为客户提供杰出的解决方案。”

Nexperia 不断丰富其 CCPAK 产品组合，目前已推出顶部散热型 33 mΩ（典型值）、650 V GAN039-650NTB，很快还将推出底部散热型版本 GAN039-650NBB，其 RDS(on) 与前者相同。







审核编辑：刘清