0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

国内或增6个SiC项目,最高30万片!

行家说三代半 来源:行家说三代半 2023-12-19 12:40 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近日,国内又有多个碳化硅项目签约,详情请往下看:

诚谱检测:

签订首个SiC生产项目

12月7日,据“玉林统战”官微消息,广西玉林博白县举行了玉商回归活动周,当天集中签约18个项目,总投资额约10亿元,其中包括一个碳化硅单晶项目

诚谱检测公司透露,他们与玉林市博白县政府正式签订了碳化硅及单晶硅生产工艺研发项目

公开信息显示,诚谱检测成立于2020年6月,注册资本为1000万元,主要从事地质类、矿床与矿产类、石油地质类矿物组分、成分与结构分析与检测服务。

截至目前,这是该公司首次涉足及投入SiC生产研发项目。

捷芯半导体

新建2万片6英寸SiC外延片项目

12月5日,据慈溪市人民政府网消息,捷芯半导体“年产2万片6英寸碳化硅外延片研发及产业化”项目开始启动,并入选宁波资本引才工程。

企查查显示,宁波捷芯半导体材料有限公司成立于2021年03月,注册资本为2000万,主要从事碳化硅晶体生长工艺的研发生产。

卓远半导体:

新建碳化硅长晶项目,获得2400万元投资

12月5日,据“中化投(江苏)产投”官微信息,卓远半导体中化投(江苏)产投、亭湖区投促中心进行会见交流,未来三方将加强合作共建,确保碳化硅长晶产业化项目在亭湖区产业园落地。

据官网资料,卓远半导体此前新建研发及产业基地落地如皋高新技术产业开发区,占地约46亩,总投入2.5亿元

公开信息显示,卓远半导体成立于2018年,注册资本为2700万元,从事于宽禁带半导体晶体装备及其材料的研发生产与制造,不断推出SiC晶体工艺及解决方案,目前SiC产品覆盖整条产业链:长晶设备、晶锭、衬底片、外延、功率器件/模块。

值得注意的是,12月4日,卓远半导体宣布获得2400万元的战略投资,投资方为凯得粤豪

据官微消息,未来3至5年,卓远半导体将持续切入碳化硅分立器件、碳化硅IGBT模块等后道工序业务,打造全产业链模式,此外,该公司现已明确上市进度安排,正在积极筹备中。

科友半导体:

筹建30万片SiC项目

12月1日,据哈尔滨新区报消息,科友半导体技术总监张胜涛获得2023年“龙江工匠”荣誉称号。

此外,黑龙江日报报道称,2023年4月,科友半导体8英寸碳化硅中试线正式贯通每7天即可生长出一块8英寸15~20毫米厚的碳化硅晶体。此外,该公司第三代半导体产学研聚集区二期工程正在筹划中,建成后将实现年产碳化硅衬底30万片

力冠微电子:

SiC设备新厂区、新投资落地

11月29日,据力冠微电子官网透露,力冠微电子新产区已经开业,此外,该公司与山东新动能基金、江苏毅达资本进行了资本签约,具体金额未透露。

力冠微电子相关负责人表示,新产区及新投资的加入,一方面能帮助公司继续以高水准研发半导体设备产品,并加快项目建设进度,推进成果转化,另一方面能提供资金保障,吸引科研人才聚集,促进当地半导体产业实现更高质量发展。

官网资料显示,力冠微电子成立于2013年,专注于半导体工艺设备的研、产、销一体化及技术服务,第三代半导体设备包括SiC籽晶粘接/高温氧化设/高温退火设备、MPCVD设备、HVPE单晶生长设备、PVT单晶生长设备等,被广泛用于集成电路、功率半导体、5G芯片等新型电子器件制造领域。

易成新材、中宜创芯:

SiC材料中试基地通过验收

12月13日,据“易成新材”官微消息,易成新材中宜创芯公司联合申报的平顶山市碳化硅材料中试基地已顺利通过现场验收。

官方透露,该基地实验室总面积为8000平方米,拥有碳化硅粉体相关中试设备、分析检测设备70台/套,设备原值9000余万元。现已开展陶瓷精粉碳化硅、磨料级粉体碳化硅、电子级碳化硅粉体、电子级碳化硅晶体材料等产品中试服务工作。

未来,该基地将加大开展对外中试服务力度,打造产学研一体化平台,建立高端人才引进、培养、使用机制,致力于培育孵化碳化硅半导体产业上下游科技型中小企业,推动科技成果向现实生产力转化,助推当地碳化硅半导体产业向全球产业链中高端迈进。

审核编辑:黄飞

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3526

    浏览量

    68219
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3324

    浏览量

    51732
  • 半导体设备
    +关注

    关注

    4

    文章

    414

    浏览量

    16522

原文标题:或增6个SiC项目,最高30万片!

文章出处:【微信号:SiC_GaN,微信公众号:行家说三代半】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    30/月晶圆厂投产!国产存储如何激活PCB千亿配套市场

    三星、美光暂停 DDR5 报价引发的供应链焦虑,正加速国内存储芯片产能扩张 —— 长鑫存储合肥新晶圆厂已进入设备调试阶段,2026 年一季度将实现 30 / 月的 DDR5 晶圆
    的头像 发表于 11-08 16:15 1318次阅读

    30台蔚来ES6正式下线

    11月1日,第30台蔚来ES6正式下线。ES6是中国品牌30元以上纯电车型中销量最大的,也是
    的头像 发表于 11-03 16:57 1013次阅读

    华中科技大学与东风汽车首批6科研项目签约

    8月30日,华中科技大学-东风汽车联合研究院管委会召开第一次会议,首批6科研项目签约,标志着联合研究院在华中科技大学军山校区正式落地校企合作进入新阶段。
    的头像 发表于 09-01 10:12 608次阅读

    德州仪器涨价!超6料号,最高提价30%

    综合多方消息,德州仪器8月4日启动新一轮价格调整,此次涉及超60,000产品型号,较6月的3,300款规模激增近20倍。本次整体价格区间上移10%-30%,其中超四成产品涨幅突破30%。重点聚焦工业
    的头像 发表于 08-06 18:25 1487次阅读
    德州仪器涨价!超<b class='flag-5'>6</b><b class='flag-5'>万</b>料号,<b class='flag-5'>最高</b>提价<b class='flag-5'>30</b>%

    深爱半导体 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能单相IPM模块

    SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能单相IPM模块系列!我们以全新ESOP-9封装与新一代技术,赋能客户在三大核心维度实现飞跃性提升:效率跃升、空间减负、成本优化与可靠性保障
    发表于 07-23 14:36

    国内最大!长飞先进武汉基地投产,明治传感助力半导体智造升级

    近日,总投资超200亿元的长飞先进半导体基地项目正式运营投产。该项目是目前国内规模最大的碳化硅半导体基地,年产36
    的头像 发表于 07-22 07:33 966次阅读
    <b class='flag-5'>国内</b>最大!长飞先进武汉基地投产,明治传感助力半导体智造升级

    台积电先进制程涨价,最高30%!

    %,最高可能提高30%。   今年1月初台积电也传出过涨价消息,将针对3nm、5nm等先进制程技术进行价格调整,涨幅预计在3%到8%之间,特别是AI相关高性能计算产品的订单涨幅可能达到8%到10%。此外,台积电还计划对CoWoS先进封装服务进行涨价,涨幅预计在10%到20
    发表于 05-22 01:09 1160次阅读

    内蒙古首个超百台程式无人驾驶矿卡项目落地

    5月10日,国家电投内蒙古公司扎哈淖尔煤业公司135台程式无人驾驶矿卡全部完成组装、正式交付,标志着内蒙古自治区首个超百台程式无人驾驶矿卡项目正式落地。
    的头像 发表于 05-15 15:03 733次阅读

    麦科信MOIP光隔离探头解决碳化硅(SiC项目问题

    。 传统差分探头的CMRR在高频很低,而SiC器件开关产生的高频干扰,足以让真实信号淹没在噪声中。我们测出来的波形要么糊成一,要么直接被噪声淹没,团队里好几个同事都快被逼疯了。 后来公司采购了这个麦科信
    发表于 04-15 14:14

    除了安森美CREE等还有哪些在美国境内流SiC碳化硅器件品牌

    根据搜索结果,除了安森美(onsemi)、CREE(Wolfspeed)和Microchip之外,以下品牌在美国境内涉及碳化硅(SiC)器件流代工合作,X-FAB作为美国境内的SiC
    的头像 发表于 04-14 05:58 910次阅读

    SiC外延的化学机械清洗方法

    引言 碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其卓越的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延的制造过程中,表面污染物的存在会严重影响
    的头像 发表于 02-11 14:39 414次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b>外延<b class='flag-5'>片</b>的化学机械清洗方法

    有效抑制SiC外延掉落物缺陷生成的方法

    影响外延质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不仅会降低外延的良品率,还可能对后续器件的可靠性产生严重影响。因此,有效抑制SiC外延掉落物缺陷的生成,对于提升Si
    的头像 发表于 02-10 09:35 401次阅读
    有效抑制<b class='flag-5'>SiC</b>外延<b class='flag-5'>片</b>掉落物缺陷生成的方法

    30kW SiC隔离型直流-直流转换器评估板

    电子发烧友网站提供《30kW SiC隔离型直流-直流转换器评估板.pdf》资料免费下载
    发表于 01-22 16:10 0次下载
    <b class='flag-5'>30</b>kW <b class='flag-5'>SiC</b>隔离型直流-直流转换器评估板

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅M
    发表于 01-22 10:43

    MR30分布式 IO 模块:硅晶行业电池机的智能 “心脏”

    硅晶产业作为全球能源和电子领域的基石,其生产规模庞大且工艺复杂。从硅料的提纯、拉晶,到硅片的切割、电池的制造,每一环节都要求高精度与高稳定性。在电池生产环节,导机承担着硅片传输
    的头像 发表于 12-13 14:00 749次阅读