0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

国内或增6个SiC项目,最高30万片!

行家说三代半 来源:行家说三代半 2023-12-19 12:40 次阅读

近日,国内又有多个碳化硅项目签约,详情请往下看:

诚谱检测

签订首个SiC生产项目

12月7日,据“玉林统战”官微消息,广西玉林博白县举行了玉商回归活动周,当天集中签约18个项目,总投资额约10亿元,其中包括一个碳化硅单晶项目

诚谱检测公司透露,他们与玉林市博白县政府正式签订了碳化硅及单晶硅生产工艺研发项目

公开信息显示,诚谱检测成立于2020年6月,注册资本为1000万元,主要从事地质类、矿床与矿产类、石油地质类矿物组分、成分与结构分析与检测服务。

截至目前,这是该公司首次涉足及投入SiC生产研发项目。

捷芯半导体

新建2万片6英寸SiC外延片项目

12月5日,据慈溪市人民政府网消息,捷芯半导体“年产2万片6英寸碳化硅外延片研发及产业化”项目开始启动,并入选宁波资本引才工程。

企查查显示,宁波捷芯半导体材料有限公司成立于2021年03月,注册资本为2000万,主要从事碳化硅晶体生长工艺的研发生产。

卓远半导体:

新建碳化硅长晶项目,获得2400万元投资

12月5日,据“中化投(江苏)产投”官微信息,卓远半导体中化投(江苏)产投、亭湖区投促中心进行会见交流,未来三方将加强合作共建,确保碳化硅长晶产业化项目在亭湖区产业园落地。

据官网资料,卓远半导体此前新建研发及产业基地落地如皋高新技术产业开发区,占地约46亩,总投入2.5亿元

公开信息显示,卓远半导体成立于2018年,注册资本为2700万元,从事于宽禁带半导体晶体装备及其材料的研发生产与制造,不断推出SiC晶体工艺及解决方案,目前SiC产品覆盖整条产业链:长晶设备、晶锭、衬底片、外延、功率器件/模块。

值得注意的是,12月4日,卓远半导体宣布获得2400万元的战略投资,投资方为凯得粤豪

据官微消息,未来3至5年,卓远半导体将持续切入碳化硅分立器件、碳化硅IGBT模块等后道工序业务,打造全产业链模式,此外,该公司现已明确上市进度安排,正在积极筹备中。

科友半导体:

筹建30万片SiC项目

12月1日,据哈尔滨新区报消息,科友半导体技术总监张胜涛获得2023年“龙江工匠”荣誉称号。

此外,黑龙江日报报道称,2023年4月,科友半导体8英寸碳化硅中试线正式贯通每7天即可生长出一块8英寸15~20毫米厚的碳化硅晶体。此外,该公司第三代半导体产学研聚集区二期工程正在筹划中,建成后将实现年产碳化硅衬底30万片

力冠微电子

SiC设备新厂区、新投资落地

11月29日,据力冠微电子官网透露,力冠微电子新产区已经开业,此外,该公司与山东新动能基金、江苏毅达资本进行了资本签约,具体金额未透露。

力冠微电子相关负责人表示,新产区及新投资的加入,一方面能帮助公司继续以高水准研发半导体设备产品,并加快项目建设进度,推进成果转化,另一方面能提供资金保障,吸引科研人才聚集,促进当地半导体产业实现更高质量发展。

官网资料显示,力冠微电子成立于2013年,专注于半导体工艺设备的研、产、销一体化及技术服务,第三代半导体设备包括SiC籽晶粘接/高温氧化设/高温退火设备、MPCVD设备、HVPE单晶生长设备、PVT单晶生长设备等,被广泛用于集成电路、功率半导体、5G芯片等新型电子器件制造领域。

易成新材、中宜创芯:

SiC材料中试基地通过验收

12月13日,据“易成新材”官微消息,易成新材中宜创芯公司联合申报的平顶山市碳化硅材料中试基地已顺利通过现场验收。

官方透露,该基地实验室总面积为8000平方米,拥有碳化硅粉体相关中试设备、分析检测设备70台/套,设备原值9000余万元。现已开展陶瓷精粉碳化硅、磨料级粉体碳化硅、电子级碳化硅粉体、电子级碳化硅晶体材料等产品中试服务工作。

未来,该基地将加大开展对外中试服务力度,打造产学研一体化平台,建立高端人才引进、培养、使用机制,致力于培育孵化碳化硅半导体产业上下游科技型中小企业,推动科技成果向现实生产力转化,助推当地碳化硅半导体产业向全球产业链中高端迈进。

审核编辑:黄飞

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    28

    文章

    2443

    浏览量

    61417
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    24

    文章

    2437

    浏览量

    47543
  • 半导体设备
    +关注

    关注

    4

    文章

    283

    浏览量

    14465

原文标题:或增6个SiC项目,最高30万片!

文章出处:【微信号:SiC_GaN,微信公众号:行家说三代半】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    8英寸SiC衬底阵容加速发展 全球8英寸SiC晶圆厂将达11座

    近年来,随着碳化硅(SiC)衬底需求的持续激增,降低SiC成本的呼声日益强烈,最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个成本结构中占比最高,达到50%左右。
    的头像 发表于 03-08 14:24 321次阅读
    8英寸<b class='flag-5'>SiC</b>衬底阵容加速发展 全球8英寸<b class='flag-5'>SiC</b>晶圆厂将达11座

    晶能微电子10亿元SiC半桥模块制造项目签约嘉兴

    近日,浙江晶能微电子有限公司与嘉兴国家高新区成功签约,共同打造一项总投资约人民币10亿元的SiC半桥模块制造项目。该项目由晶能微电子携手星驱技术团队共同出资设立,专注于车规SiC半桥模
    的头像 发表于 02-18 17:21 719次阅读

    30Mhz的有源晶振能不能同时给两DDS芯片AD9851提供参考时钟?

    项目中,一30Mhz的有源晶振能不能同时给两DDS芯片AD9851提供参考时钟??
    发表于 12-07 07:49

    SiC产业链与SiC战略初探

    。从Wolfspeed 计划在德国建设全球最大的 SiC 工厂,到三菱计划在日本建设8 英寸 SiC 晶圆厂,这些项目不仅涉及气候变化,还涉及缓和全球紧张局势和保障芯片供应。 我们在美国政府为其
    的头像 发表于 10-16 18:38 421次阅读

    IGBT基础知识及国内厂商盘点

    建设,2017年投产,成为国内第一家拥有8英寸生产线的IDM产品公司,2020年实际月产能达到5~6。2018年,公司12英寸特色工艺晶圆生产线及先进化合物半导体器件生产线在厦门开
    发表于 10-16 11:00

    ADUM41777:40 A源和30 A Sink,SIC单门驾驶员,Slew-Rate控制和BISTs数据表 ADI

    电子发烧友网为你提供ADI(ADI)ADUM41777:40 A源和30 A Sink,SIC单门驾驶员,Slew-Rate控制和BISTs数据表相关产品参数、数据手册,更有ADUM41777:40
    发表于 10-08 16:13
    ADUM41777:40 A源和<b class='flag-5'>30</b> A Sink,<b class='flag-5'>SIC</b>单门驾驶员,Slew-Rate控制和BISTs数据表 ADI

    【转帖】华润微碳化硅/SiC SBD的优势及其在Boost PFC中的应用

    的EMI;具有正温度系数的导通电压,有利于器件并联使用过程中的均流,提高并联使用的可靠性。通过在产品设计中合理选择SiC SBD,可以提高产品性能,降低产品的综合成本。 作为国内功率半导体行业的龙头企业
    发表于 10-07 10:12

    近10亿元!国内将增2个SiC相关项目

    据“行家说三代半”此前报道,6月26日,志橙半导体创业板IPO申请获受理,该公司将公开发行新股数量不超过2000万股,预计将8亿元募资资金投入于“SiC材料研发制造总部项目”、”SiC材料研发制造
    的头像 发表于 09-27 15:43 450次阅读
    近10亿元!<b class='flag-5'>国内</b>将增2个<b class='flag-5'>SiC</b>相关<b class='flag-5'>项目</b>

    RJS6005WDPK 数据表(600V-30A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode )

    RJS6005WDPK 数据表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
    发表于 07-13 18:49 0次下载
    RJS6005WDPK 数据表(600V-<b class='flag-5'>30</b>A-Diode / <b class='flag-5'>SiC</b> Schottky Barrier Diode )

    14.2 SiC晶体结构和能带

    SiC
    jf_75936199
    发布于 :2023年06月24日 19:22:10

    14.1 SiC基本性质(下)

    SiC
    jf_75936199
    发布于 :2023年06月24日 19:14:08

    14.1 SiC基本性质(上)_clip002

    SiC
    jf_75936199
    发布于 :2023年06月24日 19:13:16

    14.1 SiC基本性质(上)_clip001

    SiC
    jf_75936199
    发布于 :2023年06月24日 19:12:34

    重磅!国产SiC衬底激光剥离实现新突破

    最近,泰科天润董事长陈彤表示,国内SiC项目突破100万片的关键在于成本,即“碳化硅器件成本仅为硅器件的2倍”。
    发表于 05-24 17:01 759次阅读
    重磅!国产<b class='flag-5'>SiC</b>衬底激光剥离实现新突破