摩根士丹利提升存储芯片价格预期，明年第一季度价格涨幅翻倍

摩根士丹利再度提升对存储芯片价格上涨的预测，看好储芯行业进入需求回升期。摩根士丹利报告显示，目前美股通用存储股相较上一轮周期价格更具吸引力，基于调整后盈利率，存储芯片行业预计将步入周期性增长加速、需求显著增长的阶段。

摩根士丹利强调，下游客户正在积极补充库存，中国智能手机OEM厂商在明年首季度订单量将大幅上升，电脑ODM/OEM也在增加库存。智能手机制造商的新需求足以带动价格攀升，使库存恢复至正常水平（移动DRAM大约需4至6周时间，NAND则需6至7周）。

从市场供需情况看，存储芯片供应商产量远不及需求及下游客户强烈补库行为带来的库存回归正常，这预示着未来价格上涨趋势将会更为明朗。

此外，摩根士丹利指明，人工智能（AI）需求的不断增加将继续推高存储芯片价格：“明年HBM芯片价值达100亿美元且AI需求突显出供应紧张局面的持续。“尽管大多数AI应用程序主要分布在云端，但自2024年起，边缘计算需求将日益突出（尤其是行动AI），并可能引领智能手机升级周期。

综合各因素来看，摩根士丹利预计，随着盈利能力提高，存储股表现优秀，当前正处于周期中期/乐观阶段，DRAM现货价格年度增长约为-16%，较高峰时还有待提高。截至明年年底/2025年初，DRAM现货价格有望触及历史新高。

依靠最新行业数据，摩根士丹利上调了对三星和SK海力士每股获利预期。其中，预估海力士将在第四季度实现盈利，届时在HBM市占增长与大宗商品价格改善的驱动下，该公司将迎来盈利期；预计三星将受益于存储价格上涨提升盈利能力，同时S24edge产品融入AI技术，预计将在明年一季度面世。