衍梓装备：业内首款改进工艺SiC栅氧制备设备

新能源汽车、光伏、储能等新兴市场的强力推进下，sic的igbt市场替代加快，但是成熟的sic比igbt技术仍在持续改善的过程中，为了加快sic的大规模市场上市企业产业链条sic正在加快相关技术开发。

其中，成立于2020年的衍梓装备是国内领先的半导体设备公司，聚焦于硅基外延环节及SiC的晶圆制造环节。公司发展迅速，目前已形成制程段完整设备矩阵，实现主要客户全覆盖。创新国内技术对半导体领域相关设备的替代和升级。

衍梓装备拥有业界最好的研究开发组。核心技术团队来自国际知名的idm， foundry，设备和材料等大工厂，包括零部件，制作工程，材料，设备及模拟等领域，具有数十年的生产和研发经验。公司建设1000条以上测试生产线，瞄准尖端薄膜研究开发中心、电力、射频及先进制程研究设备及技术，与主要客户形成良好的研究合作能力。

在硅基领域包括微分化和关注方向，产品差别化sto等离子表面处理设备，高可靠性的厚设备；碳化领域硅外延生长的有特色的技术创新为重点，产品有硅炭化硅基片处理设备、硅碳化缺点我电网氧气制造设备，sic -硅碳化测量解决方案等。

衍梓装备技术的自主研发，产品是根据顾客的要求深入理解的基础上进行技术革新，可以为客户提供优质的产品，为客户提高收率和生产效率，提高产品的一贯性，降低客户的生产费用。

在SiC制造领域，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD以及栅氧制备设备是SiC领域的三大核心设备。在团队全力攻关下，衍梓装备成功推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设备。

在极端工作条件下，碳化硅器件的可靠性对保证系统的稳定运行起着非常重要的作用，主要问题有雪崩失效、短路失效和浪涌失效等。器件的短路失效和浪涌失效除了热失效原因外，高温下场氧区断裂或铝熔化破坏栅氧导致栅源短路也是两个原因，这对于沉积、热氧化工艺也提出了更高的要求。

相较于竞品所采用含一氧化氮高温工艺，衍梓装备设备采用改进工艺，在各项指标性能上均具备较强优势，切实有效解决产业痛点，其优势包括但不限于：

1、大幅提高晶体管的性能；

2、降低碳化硅氧化层生成成本；

3、大幅提高可靠性；

4、有助于碳化硅器件降低线宽；

5、有效降低对国外高温零部件的依赖；

6、大幅降低碳化硅器件整体成本。

衍梓装备由此也成为国内第一家推出新一代低缺陷栅氧制备设备的设备企业。