长鑫存储”半导体芯片测试方法、装置、设备及存储介质“专利获授权

长鑫存储技术有限公司获得“半导体芯片测试方法、装置、设备及存储介质”专利。许可公告日为11月14日，许可公告号码为cn116540059b。

根据专利摘要，该公开提供属于半导体制造技术领域的半导体芯片测试方法、装置、装置及存储介质。该方法对半导体芯片进行直流应力试验，得出直流应力试验结果，直流应力试验结果包括第一失效单位的失效通知。根据第一无效单位的无效地址信息，确定交流试验区；对交流应力试验区域进行交流应力试验，得出交流应力试验结果，交流应力试验结果包括第二实效单位的失效通知。利用第一个有效单位的有效地址信息，利用第一个有效单位和第二个有效单位的有效地址信息，维修第二个有效单位。

这一公开缩短了测试时间，减少了测试费用。