艾迈斯欧司朗180纳米CMOS工艺线准备就绪，适用于传感器及ASIC

艾迈斯欧司朗拥有三十年的专业经验，为先进的模拟和混合信号技术提供代工生产和支持服务。目前，艾迈斯欧司朗已经将先进的 180 纳米 CMOS 工艺技术整合到其全方位晶圆代工服务中。在提供先进高性能模拟/混合信号集成电路解决方案一站式服务的战略中，这是艾迈斯欧司朗的最新举措。除了晶圆制造和工艺定制，还提供：设计和工程支持、IP单元、封装和 IC 集成、晶圆针测和晶圆终测。

位于奥地利的艾迈斯欧司朗200mm工厂即将采用新型C18 180纳米 CMOS技术进行生产，这种技术非常适合用于工业、医疗、汽车和消费品市场的传感器和传感器接口。在汽车和医疗应用的设计中，该技术也将大显身手。艾迈斯欧司朗计划下一个季度让使用C18 180纳米技术的产品实现量产。这一技术符合行业标准，源自全球领先的半导体合同制造商，确保了100%的电气兼容性，保障备选供应能力。

全新高性能工艺：模拟和混合信号设备更进一步

随着C18 180 纳米 CMOS 工艺技术的引入，艾迈斯欧司朗将为客户提供更多的模拟和混合信号设备生产选择：

低漏电/高密度数字库

扩展模拟晶圆验收数据（WAT）参数

大量高质量设备

计划引入1.8V/3.3V和1.8V/5.0V

双栅氧化物和三阱选择

3-6个金属层

原生、隔离的 CMOS 晶体管

NPN 和 PNP 双极晶体管

单个MIM（2fF/µm2）

多种电阻类型：多晶硅、1k高分辨率多晶硅、精密多晶硅

一次性可编程（OTP）存储器

该工艺还支持光学涂层（适用于在晶圆上实现滤光片）和硅通孔（TSV）等先进生产技术，用以优化敏感和关键信号的导线布局。艾迈斯欧司朗的核心目标是简化这一工艺，让其运行更为顺畅。C18 180纳米CMOS工艺带有全套的工具和支持资源。艾迈斯欧司朗的工艺开发工具包（PDK）为芯片设计师提供即插即用的C18工具包，有助于提升模拟和混合信号的性能，并拥有高精度模拟模型，帮助客户在更短时间内实现产品开发和交付。

最新版的hitkit设计平台极大地提升了设计效率。它不仅配备了1.8V和3.3V的NMOS和PMOS设备（包括基板型、浮动型、低漏电型和高阈值电压型多种选择），还附带了一系列全功能的无源设备，如多种电容器。此外，经过区域优化的高密度和低功耗数字库支持高达125k门电路/mm2的门电路密度。

升级后的数字和模拟I/O库现包括多达6个金属层，以及额定电压可达4kV（按照人体模型）的ESD保护单元。添加了RAM和ROM内存生成服务，以及零掩码级的加法器EEPROM IP模块，使产品功能更加全面。

“基于Cadence的Virtuoso自定义IC技术，新版hitkit助力设计团队加速产品上市。该hitkit为Spectre仿真平台提供精确模型，为Quantus带来提取功能，同时还为Calibre和PVS/Pegasus增加了验证套件。其还搭载了基于SKILL的PCell技术，整合成一个全方位的设计平台和经过严格验证的芯片解决方案。”

C18 的多样化应用

艾迈斯欧司朗的奥地利生产厂推出的C18 180 nm CMOS工艺面向全体客户开放，涵盖从客户定制设计到特殊应用和开放市场的多种产品。使用该工艺进行代工的客户将借助C18工艺来打造他们的先进混合信号产品。

除核心的晶圆制造能力外，艾迈斯欧司朗代工厂还提供设备组装、专业工程、测试和鉴定等附加服务，以加速上市并减少开发压力。新工艺的引入进一步强化了艾迈斯欧司朗对ASIC（专用集成电路）客户的支持，使他们在混合信号设备方面具有明显的竞争优势。通过提供一站式服务，艾迈斯欧司朗让ASIC客户能在竞争中轻松保持领先地位。

最后，艾迈斯欧司朗还计划将这一先进工艺和其相关功能应用于开放市场的标准产品中，这些优势有望成为实现多种应用场景的关键因素。

C18 供应情况

可随时在 C18 生产线上启动原型设计和生产。C18生产线上的常规多产品晶圆（MPW）原型设计服务将于2023年11月开始。

除1.8V/3.3 V工艺版本外，2024年还将发布1.8V/5.0V版本。此后还将推出基于BCD（双极-CMOS-DMOS）的高压版本，最高可达70V。