贝茵凯一次流片出三款大功率IGBT芯片，良率接近100%

据消息人士透露，国内高功率半导体供应商——北京贝茵凯微电子有限公司第一次电流处理生产过程中，三种高性能系列产品，分别是1200v，电压1700v，达到1000v;其主要目标都达到了，期待的收率几乎达到了100%。

就在今年8月，贝茵凯独自开发出了“第7代高性能igbt”，并在12英寸晶片上亮相。以200a电流规格为例，12英寸晶片能生产约400个芯片，而8英寸晶片能生产约150个芯片。

贝茵凯是2022年5月在北京成立的集成电路研发及总部基地作为先进功率器件的设计、开发、制造及相关产品正致力于积聚，核心产品是1.6微米惠誉（距）的第7代硅基igbt功率芯片和碳化硅mosfet电力芯片。贝恩凯创始组在电力半导体领域拥有多年的经验和丰富的研究开发技术及产业资源。