电子技术基础知识分析

1、纯净的半导体是四价元素，呈晶体结构，内部原子按一定规律整齐排列。

2、半导体有电子导电和空穴导电两种形式。

3、硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。

4、本征半导体内部电子和空穴的数量在任何情况下总是相等的。

5、掺杂是指在本征半导体中掺进一定类型和数量的其它元素（五价元素或三价元素）。

6、半导体掺杂的目的是改善导电能力，即掺杂后使半导体在原有“电子-空穴对”的基础上，增加大量的电子或空穴。

7、P型半导体中的空穴多，N型半导体中的电子多。

8、PN结内电场的方向为由N区的正电荷区指向P区的负电荷区。

9、半导体内部的“电子-空穴对”会随外界温度升高或光照强度增加而明显增加，使导电能力增强。

10、绝对零度时，“电子-空穴对”消失，半导体失去导电能力，相当于绝缘体。

11、在纯净的半导体中掺入微量杂质，半导体的导电能力将成万倍增加。

12、在同样的PN结面积条件下，硅管允许通过的电流比锗管大，所以大功率二极管都用硅制造。

13、二极管的主要特性是单向导电性，当阳极处于高电位，阴极处于低电位时，二极管正向导通，即处于低阻状态。当阳极处于低电位，阴极处于高电位时，二极管反向截止，即处于高阻状态。

14、二极管由截止进入到导通所需的电压称二极管的阀电压，一般锗二极管在0.2V左右，硅二极管在0.5V左右。

15、二极管一经击穿，便不能再恢复其单向导电性。

16、最高反向工作电压是指二极管不被击穿所允许的最高反向电压，一般规定最高反向工作电压为反向击穿电压的1/2～1/3。

17、二极管温度升高时，正、反向电流增大，阀电压降低、反向击穿电压降低。

18、二极管使用中电流不能超过最大正向电流，电压不能超过最高反向工作电压（峰值），否则会损坏。

19、二极管焊接时宜使用45W以下的电烙铁，并且焊接速度要快，否则二极管会因过热而损坏。

20、二极管的正向电阻值一般在几十欧到几百欧之间，反向电阻的阻值应在几百千欧以上。

21、如果测量二极管正、反向阻值都很小，接近零欧姆，说明二极管内部击穿或已短路；反之，如阻值都很大，接近无穷，说明内部已断路。

22、用万用表测量二极管时不能用Rx10k挡，因为万用表高阻档使用的电池电压高，超过了某些检波二极管的最高反向电压，会将二极管击穿；测量时一般也不用Rx1或Rx10档，因为欧姆表的内阻很小，和二极管正向连接时电流很大，容易把二极管烧坏。

22、三极管的三个电极分别称为发射极(e)、基极 (b)和集电极(c)。

23、三极管的主要功能是放大作用，根据不同需要，可组成电流放大、电压放大、功率放大、直流放大等不同电路。

24、三极管加上工作电压后有三个电流通过三极管，即发射极电流、基极电流和集电极电流。发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。

25、三极管的电流放大作用是指当基极电流有微小变化时，集电极电流相应有一较大的变化。

26、当三极管受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称为集电极最大允许耗散功率P CM 。

27、用万用表的黑笔(表内电池的正极)接到基极，用红笔分别测三极管另外两个电极。如测得的电阻都很大，则该管为PNP型；如测得的电阻均较小，则该管为NPN型。

28、温度对三极管的参数有很大影响，温度上升，则放大倍数β增大。

29、可控硅有三个电极，分别称为阳极(A)、阴极(K)和控制极(门极)(G)。

30、用万用表测量可控硅阳极与阴极之间和阳极与控制极之间的正、反向电阻，正常值都应在几百千欧以上。

31、可控硅导通的条件，除具有足够大的正向电源以外，还必须在控制极与阴极基之间施加一个足够大的正向触发电压(称触发信号)。

32、可控硅一经导通，它的导通状态完全依靠自身的正反馈作用来维持，即使控制极电流IG消失，可控硅仍处于导通状态。

33、基本逻辑门电路有与门、或门和非门。

34、与门电路的逻辑功能为：输入有0，输出为0；输入全1，输出为1。

35、或门电路的逻辑功能为：输入有1，输出为1；输入全0，输出为0。

36、非门电路的逻辑功能为：输入为0，输出为1；输入为1，输出为0。