PCIM首日 | 罗姆携SiC、GaN等产品亮相展台，更有大咖现身论坛讲解产品及设计要点-电子发烧友网

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）于今日（8月29日）参加在上海新国际博览中心举办的2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：W2馆2D03）。

本次展会聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在明日（8月30日）现场举办的“第三代半导体论坛”以及“电力电子应用技术论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。

罗姆展台现场

罗姆拥有世界先进的碳化硅为核心的功率元器件技术，以及充分发挥其性能的控制IC和模块技术，在提供电源解决方案的同时，为工业设备和汽车领域的节能化、小型化做出贡献。在本次PCIM Asia展会上，针对日益增长的中国市场需求，罗姆重点展示以下产品和解决方案：

碳化硅

凭借低开关损耗、低导通电阻特性，

为节能做贡献

与传统的硅器件相比，碳化硅器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选元器件。罗姆在碳化硅功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，其先进的SiC MOSFET技术实现了业界领先的低导通电阻，充分地减少了开关损耗，并支持15V和18V的栅极-源极电压，有助于在包括汽车逆变器和各种开关电源在内的各种应用中实现显著的小型化和低功耗。在本次展会上，罗姆带来了面向车载应用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列产品展示。

氮化镓相关产品

助力应用产品进一步节能和小型化

GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。2022年，罗姆将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。近期，为助力各种电源系统的效率提升和小型化，推出了器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。此外，还结合自身功率电子和模拟两大核心技术优势，又推出了EcoGaN Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，该产品集GaN HEMT和栅极驱动器于一体，使GaN器件轻轻松松即可实现安装，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积。在本次PCIM Asia展会上，罗姆展示了氮化镓相关的一系列重点产品。

高性能解决方案

用于电动汽车以及工业设备领域

内置绝缘元件的栅极驱动器“BM611x系列”，是3.75kV隔离、AEC-Q100认证的栅极驱动器，专为xEV牵引逆变器应用而设计。其中，“BM6112FV-C”专为高功率IGBT和SiC应用而设计，栅极驱动电流20A。此外，AC-DC 转换器IC产品系列（650V、800V、1700V）为各种外接交流电源产品提供更佳系统，准谐振操作可实现软开关，并有助于保持较低的EMI。其中，“BM2SC12xFP2-LBZ”内置1700V SiC MOSFET，方便设计，有效降低轻负载时的电力消耗，具备各种保护功能。

一直以来，罗姆不仅在产品研发上投入力量，还积极与行业伙伴建立战略关系，联合推动技术创新，旨在解决社会面临的问题。除了以上丰富的产品及解决方案展示以外，还展示了众多合作伙伴的应用案例，不容错过！在现场更有来自罗姆的专业销售和经验丰富的技术人员助阵，互动交流。欢迎登陆罗姆官网，查看更多展会详情：https://www.rohm.com.cn/pcim