据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估，汽车，电气设备，信息和通信设备等领域对下一代功率半导体（SiC和GaN）需求的预计将增加。预计2030年（与2018
2019-06-25 11:22:42
7827 在未来十年，受电源、光伏（PV）逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体
2013-04-26 10:10:041532 “PCIM Europe”是功率器件、逆变器、转换器等功率电子产品的展会。在市场要求降低耗电、减轻环境负荷等背景下，该展会的规模逐年扩大，2013年共迎来了近8000名参观者。在本届展会上，开发
2013-07-09 09:46:493475 市场研究机构IHS最新统计报告指出，随着愈来愈多供应商推出产品，2015年碳化矽（SiC）功率半导体平均销售价格已明显下滑，有望刺激市场加速采 用；与此同时，氮化镓（GaN）功率半导体也已开始
2016-03-24 08:26:111306 作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
（SiC）和氮化镓（GaN）占有约90％至98％的市场份额。供应商。WBG半导体虽然还不是成熟的技术，但由于其优于硅的性能优势（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷却），正在跨行业进军。 使用基于SiC或GaN的功率半导体来获
2021-04-06 17:50:533169 
电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和 GaN 组件的过渡标志着功率器件发展和更好地利用电力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优于现在使用的Si（硅），作为“节能王牌”受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。
2013-03-07 14:43:024596 全球范围内5G技术的迅猛发展，为氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率半导体制造商提供新的增长前景。2020年，GaN和SiC功率半导体市场规模为7亿美元，预计2021年至2027年的复合年增长率
2021-05-21 14:57:182257 迁移率晶体管）。为什么同是第三代半导体材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？为什么没有GaN MOSFET产品？下面我们来简单分析一下。 GaN 和SiC 功率器件的衬底材料区别 首先我们从衬底材料来看看SiC和GaN功率器件的区别，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
近日纳微半导体宣布推出至今世界上最小的65W USB-PD (Type-C) 电源适配器参考设计。这种高频及高效的AllGaN?功率IC相比传统硅IC可缩小变压器、滤波器和散热器的尺寸、减轻
2017-09-25 10:44:14
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
预约项目。参展商可与专业买家提前建立联系，从而大大节省展会期间的时间，提高参展效率。 展览+会议 PCIM 2010 中国的主要展出产品 ↘功率半导体 ↘DSP、微处理器 ↘被动元件 ↘电源、UPS
2010-03-11 19:17:14
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
，可应用在较高频率、电压与温度的严苛环境下，还可达到低耗损高效率的特性。随着全球对环境保护的重视，电子产品效率要求的提高，让GaN与SiC成为世界各国半导体业研究的重点。 硅基IGBT一般工作于
2018-10-23 16:12:16
OpenHarmony将携新成果亮相HDC2022第四届华为开发者大会 2022（Together）将于11月4日-6日在东莞召开，OpenAtom OpenHarmony（以下简称“OpenHarmony”）将携新生态成果亮相HDC2022。邀你共建、共赏、共探索！
2022-10-31 17:30:57
实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体（SiC半导体）的量产。另外，在传统的硅半导体功率元器件领域，实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
`Qorvo的TGF2023-2-05是基于SiC HEMT的5.0 mm离散GaN，其工作频率范围为DC至18 GHz。TGF2023-2-05通常在3 GHz时可提供43 dBm的饱和输出功率
2021-03-18 12:03:50
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
有限公司（以下简称“萨科微”）为代表的“造芯”势力正在奋力追赶，致力补齐国内功率半导体产业链中重要的一环。萨科微半导体产品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二极管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
在接下来的几周内，安森美半导体的专家将在路上，帮助设计工程师在美国和加拿大的五个地点解决他们的电源应用挑战。安森美半导体的电力研讨会侧重于技术和技术，而非产品。我们邀请您与我们的电源专家会面，探讨
2018-10-29 08:57:06
有限公司（以下简称“萨科微”）为代表的“造芯”势力正在奋力追赶，致力补齐国内功率半导体产业链中重要的一环。萨科微半导体产品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二极管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
什么是堆叠式共源共栅？低阻抗功率半导体开关有哪些关键特性？低阻抗功率半导体开关有哪些应用优势？
2021-06-26 06:14:32
了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。MDD致力满足客户高品质需求，目前产品
2022-11-11 11:50:23
，全方位展示宇阳科技高品质MLCC产品及技术实力。
国产半导体新锐品牌安森德（展位号1F35）携功率器件、模拟IC及SIP系统级芯片与行业解决方案重磅亮相，邀您共商“芯”机遇，共谋“芯”发展
2023-08-24 11:49:00
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
，以支持在整个低、中和高功率范围的多样化应用。从用于车载媒体应用到空调的器件，到用于内燃机(ICE)、混合动力和纯电动动力系统的高功率方案，安森美半导体正在不断开发新产品，以帮助支持和加速汽车技术
2018-10-30 09:06:50
常用的功率半导体器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
解决方案·低压伺服驱动解决方案·基于SiC的光伏逆变器DC-AC解决方案·8通道IO-Link主站解决方案
▌峰会议程
▌参会福利
1、即日起-9月27日，深圳用户报名预约【意法半导体工业峰会2023
2023-09-11 15:43:36
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
`根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
半导体的低阻值，可以高速工作，高温工作，能够大幅度削减从电力传输到实际设备的各种功率转换过程中的能量损耗。SiC功率元器件在节能和小型化方面功效卓著，其产品已经开始实际应用，并且还应用在对品质可靠性
2017-07-22 14:12:43
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大 化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，宽禁带材料SiC和GaN相对于前两代半导体材料具有可见光波段的发光特性、高击穿场强、更好的大功率特性、更加抗高温和高辐射等优势，可以应用于光电器件、微波通信器件和电力电子器件。经过多年的发展
2017-02-22 14:59:09
苏州华林科纳半导体设备技术有限公司成立于2008年3月，投资4500万元。主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售；同时代理半导体、太阳能、FPD领域其它国外设备，负责
2015-04-02 17:26:21
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
“功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优
2012-07-02 11:18:331387 三菱电机株式会社定于7月31日开始，依次提供5个品种的SiC功率半导体模块，以满足家电产品与工业设备对应用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半导体的需要。在这5种产品中，3种适用于
2012-07-25 15:59:27718 这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:11
23 ，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 功率半导体市场一直都处于温温不火的状态的，但是随着混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器的需求，GaN和SiC功率半导体市场规模呈现井喷式增长。
2018-05-23 15:00:059833 Yole电力电子技术与市场分析师Ana Villamor与意法半导体功率RF和GaN产品部经理Filippo Di Giovanni会面，讨论意法半导体与CEA-Leti在GaN研发方面的合作情况，以及未来几年功率GaN路线图。
2018-12-24 15:14:275745 作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
半导体产业的发展一共分三个阶段，第一代半导体材料是硅(Si)，第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件，而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导体材料GaN和SiC，相较前两代产品
2022-12-09 10:46:48911 寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材料技术的巨大潜力。应用程序。在新世纪即将来临
2021-04-01 14:10:192124 
11月15日消息 根据 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》，在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的新兴市场
2020-11-16 10:19:322223 为实现低碳社会，电装开始量产搭载了高品质SiC（碳化硅）功率半导体的新一代升压用功率模块＊1。2020年12月9日在日本正式发售的丰田新一代“MIRAI”车型就搭载了该产品。 持续布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263192 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导率、导通阻抗小、体积小等优势
2021-05-03 16:18:0010175 
新能源和轨道交通等市场的快速发展，对电力电子产品的要求也越来越高，除了传统主流的IGBT，第三代半导体材料，GaN和SiC，由于其更宽的禁带宽度、更高的导热率等特性也越来越得到市场的认可。一年一度
2021-09-22 16:14:151904 半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。
2022-04-16 17:13:015712 宽带隙半导体具有许多特性，这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211644 
AspenCore 的 2021 年 PowerUP 博览会 用一整天的时间介绍宽带隙 (WBG) 半导体，特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小组讨论的重点是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26391 
PCIM Europe即欧洲电力电子系统及元器件展，是全球最大的功率半导体展会。今年5月，瑞能半导体携多款旗舰产品亮相展会，全方位展示行业领先的技术，以及在家用电器、可再生能源、汽车、通讯等领域卓越的功率器件产品组合产品。
2022-08-04 11:45:251168 氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:060 本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
2023-02-19 17:06:18350 
由于对SiC功率半导体的强劲需求和对GaN功率半导体的强劲需求，2022年下一代功率半导体将比上年增长2.2倍。预计未来市场将继续高速扩张，2023年达到2354亿日元（约合人民币121亿元），比2022年增长34.5%，2035年扩大到54485亿日元（约合人民币2807亿元），增长31.1倍。
2023-04-13 16:10:46444 全球知名半导体制造商罗姆将参加于5月9日至11日在德国纽伦堡举办的2023PCIM欧洲展会。PCIM欧洲是全球电力电子行业的顶级展会及研讨会。届时，罗姆将展示其推进可持续技术的新型功率半导体，包括
2023-05-09 14:25:12375 当地时间5月9日，全球领先的功率半导体供应商瑞能半导体携其最新产品亮相在德国纽伦堡揭幕的PCIM Europe 2023。产品组合包含碳化硅器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET
2023-05-10 14:19:30770 
展示成果的最佳机会。 瑞能半导体源自恩智浦，拥有完整且严格的研发、认证和生产管理体系，是中国本土最早的SiC功率器件供应商。 自2011年以来，瑞能半导体持续研发并推出多种碳化硅半导体器件，出货量累计达4000万颗。目前，瑞能SiC二极管产品已完成六代产品开
2023-05-23 13:44:331135 功率半导体和芯片公司，瞻芯电子将携最新碳化硅(SiC)功率半导体、芯片产品和解决方案参展，在N5馆储能技术及装备、逆变器、电源国际品牌馆亮相，并期待与您共同探讨未来的绿色能源发展之路。 瞻芯电子致力于开发碳化硅(SiC)功率器件和模块、栅极驱动芯片、控制芯片产品
2023-05-25 14:59:221125 
发布最新的研究成果和新产品，内容从器件、驱动控制、封装技术到最终系统，涵盖整个生态链。英飞凌将亮相PCIM2022（5月10日至12日，德国纽伦堡），展示功率半导体
2022-05-13 15:56:37379 
技术。 三安半导体专注于碳化硅、氮化镓功率半导体的研发和制造，展会现场展示了最新的产品系列，包括SiC MOSFET、SiC Schottky二极管和GaN HEMT等关键器件，其中自主开发的SiC MOSFET产品和工艺平台备受瞩目。凭借卓越的品质和先进的制造工艺，三安半导体赢得了全球
2023-07-12 21:39:14429 
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为3.3eV，GaN（氮化镓）为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
）。 本次展会聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时， 罗姆工程师还将在明日（8月30日）现场举办的“第三代半导体论坛”以及“电力电子应用技术论坛”等同期论坛上发表演讲，分享
2023-08-29 12:10:06294 
的最新技术与产品。 扬杰科技携带晶圆、IGBT、SiC、可控硅等产品首次亮相国内PCIM Asia展，详细全面介绍了在汽车电子、工控、清洁能源等高"信赖性"需
2023-08-31 17:55:02476 
【 2023 年 8 月 29 日 ， 中国上海讯】 英飞凌（Infineon）今日携广泛的半导体技术和产品，亮相于上海新国际博览中心举办的 “2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(以下
2023-09-01 18:39:37670 
2023年8月29-31日，PCIM Asia国际电力元件、可再生能源管理展会于上海新国际博览中心举办，主要展示功率半导体元件及模块等电力电子方面的技术和产品。 翠展微电子作为
2023-09-02 16:15:01520 
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
解更多公司，建议查询相关网站。 sic功率半导体技术如何实现成果转化 SIC功率半导体技术的成果转化可以通过以下途径实现： 与现有产业合作：寻找现有的使用SIC功率半导体技术的企业，与他们合作，共同研究开发新产品，将技术转化为商业化
2023-10-18 16:14:30586 2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。
2023-11-25 16:50:53451 家 SiC、GaN 企业代表来共同见证第三代半导体的蓬勃发展。Nexperia（安世半导体）荣获权威认证，将「SiC年度优秀产品奖」与「中国GaN 功率器件十强」两项大奖收入囊中，展现了其作为基础半导体全球领导者的强大实力与深耕三代半领域的决心。
2023-12-21 11:37:25681 近期，由第三代半导体产业知名媒体与产业研究机构“行家说三代半”主办的“2023年行家极光奖”颁奖典礼在深圳正式拉开帷幕，数家SiC&GaN企业代表参加，共同见证第三代半导体产业的风采。
2023-12-27 10:47:55225 
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半导体与其签署了一项合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道，面向功率半导体应用市场。
2024-01-13 17:17:561042
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