来源:天科合达
据天科合达官微消息,8月8日,北京天科合达全资子公司江苏天科合达半导体有限公司碳化硅晶片二期扩产项目开工活动在徐州市经济开发区成功举办。
(图源:金龙湖发布)
据悉,江苏天科合达二期项目投资8.3亿元,购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台(套),可实现年产碳化硅衬底16万片,并计划明年6月份建设完成,同年8月份竣工投产,届时江苏天科合达总产能将达到23万片,年产值10亿元以上。
资料显示,北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业,公司导电型晶片全球市场占有率排名第二、国内占有率排名第一。
审核编辑 黄宇
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
硅晶片
+关注
关注
0文章
73浏览量
15074 -
碳化硅
+关注
关注
24文章
2433浏览量
47540
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
发表于 03-08 08:37
碳化硅的激光切割技术介绍
晶片切割是半导体器件制造的关键步骤,切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本,同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料,在电子领域中具有重要地位。高质量碳化硅
总投资8.3亿元!天科合达碳化硅晶片二期扩产项目开工
为进一步完善产能布局,抢占市场先机,北京天科合达决定在徐州经开区开展江苏天科合达二期扩产项目建设,总投资8.3亿元,占地70亩,建筑面积约5万平方米,购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台(套),可实现年产
切割工艺参数对6英寸N型碳化硅晶片的影响
采用砂浆多线切割工艺加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶体,研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数,最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线痕深度的6英寸N型碳化硅
碳化硅MOSFET什么意思
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
碳化硅二极管是什么
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性,因此碳化硅二极管具有较低的反向
碳化硅晶片的超精密抛光工艺
使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验,探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响,并对工艺参数进行了优化,
碳化硅功率模组有哪些
碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋
发表于 05-31 09:43
•422次阅读
评论