Nexperia | MOSFET 如何轻松应对传导损耗
有四个主要元件可满足电池反向保护，分别是恢复整流二极管、肖特基整流二极管、P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET。
在今天的演示中，我们将展示每种方法的实际应用，您可以详细了解 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 如何处理应用中的传导损耗。
本演示使用的功率 MOSFET 和整流二极管来自符合 AEC-Q101 标准且适用于汽车应用的产品组合。40V 功率 MOSFET 采用 LFPAK 5x6 铜夹片封装，二者均来自于 Nexperia（安世半导体）的广泛 N 和 P 沟道版本产品组合，在关键测试参数中，它们超出 AEC-Q101 测试两倍以上。
本演示还包含来自铜夹片 FlatPower 封装中的整流器—— CFP5 和 CFP15，凭借数十年开发高性能封装解决方案所积累的专业知识，我们能够提供一系列具有出色热效率和电气效率的封装，从而支持要求最严苛的应用。
LFPAK 和 CFP 的独特铜夹片结构提供出色的稳健性和可靠性。如果与更传统的替代方案相比，还能够节省空间。经过测试的器件电流额定值使得封装非常适合要求最严苛的应用。
审核编辑 黄宇
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