虹科分享 | 半导体制造工艺中的虹科光源解决方案（2）

半导体行业借助紫外高功率辐射（i 线：365 nm、h线：405 nm和g线：436 nm）在各种光刻、曝光和显影工艺中生产IC、LCD、PCB以及MEMS 等复杂的微观电路结构。得益于LED的技术优势和成本优势，半导体制造领域正在摆脱长期以来的传统放电汞灯技术，进而选择UVLED技术作为一种理想解决方案。虹科UVLED紫外光源提供稳定且超高功率的UV辐射输出，最高输出功率可达80W，具有长寿命和成本优势，无需额外冷却时间，即开即用，取代了传统的灯箱结构，不再需要主光束折叠镜、散热器来吸收在快门和滤光片部件下超过450nm的辐射。

许多光刻应用依赖于包括 i、h 和 g 线 （365/405/435 nm） 辐射宽带曝光。虹科UVLED紫外光源提供非常相似的宽带光谱输出，因此，将现有的光刻工艺升级到UVLED曝光系统不再需要过多调整和操作。除了宽带UVLED曝光单元外，还提供单峰（365 nm）或双峰波长（365/405 nm和405/435 nm）的输出配置。虹科高功率UVLED波段选择

上期内容我们介绍了虹科曝光光源在掩膜对准系统和宽带步进系统中的应用（虹科分享 | 半导体制造工艺中的虹科光源解决方案（1））。在本篇内容中，我们将继续为您展示虹科曝光光源在半导体领域的其他拓展应用。

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晶圆边缘曝光

晶圆边缘曝光（WEE）是大批量半导体制造中的常见步骤，使用光刻工具在曝光后处理晶圆的圆边和ID区域，以提高晶圆半导体器件的良率。WEE允许晶圆边缘的绝对最小曝光宽度，以最大限度地减少良率损失或在进一步处理过程中保护边缘免受污染。

目前，大多数WEE应用使用350至450 nm光谱范围内的宽带辐射。最常见的解决方案是使用额定功率为150至500 W的传统光纤耦合汞放电灯。虹科高功率紫外光源ALE/1和ALE/3通过灵活的LED光导提供光输出，涵盖了传统汞放电灯的光谱范围，并且很容易超越晶圆边缘曝光工艺所需的典型强度。

晶圆曝光强度

虹科UVLED紫外光源解决方案提供卓越的吞吐量性能，取代了小型功率和中型功率汞弧灯。

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准直曝光系统

掩模对准器和步进器能创建一层又一层的精确定位和结构化图案，以制造复杂的集成电路、化合物半导体和其他微电子器件。许多紫外固化应用要求曝光与半导体生产一样精确，但不需要具有精心排列的微观结构层的多个光刻步骤

以上应用更建议使用准直紫外光源曝光，可以将虹科紫外光源解决方案集成到需要紫外线泛光暴露应用中，模块化产品系列可让您选择所有组件以满足您的曝光要求。

选择虹科ALE/1 或 ALE/3 紫外 LED 光源，以满足您对输出功率、光谱成分和曝光稳定性的偏好。虹科ALE/1 或 ALE/3是市场上性能最高的光纤耦合光源之一，占地面积小，易于集成。

曝光光源系统集成

标准和定制的高透射率液体LED光导可用于连接光源和曝光，可以自由选择最适合的方法，几乎可以将光源和曝光光学器件放置在设置设计包络中的任何位置。所有解决方案均可定制，以完美贴合原有设备。

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光掩模检测

完美的光罩或光掩模在光刻应用中实现高产量至关重要。缺陷和污染会导致图案放置错误，这些错误会在生产基板上重复复制。光罩检测系统可帮助掩模车间鉴定其光掩模和晶圆厂，通过降低印刷有缺陷的晶圆和其他基材的风险来保护其产量。

将虹科强大的LED技术集成到其用于大型光掩模的光罩检测工具中，制造商依靠这些系统来评估进料光罩质量，并在生产过程中定期对标线进行重新认证。虹科高性能紫外LED光源用于光罩检测系统具有三大优点：

虹科ALE/1和ALE/3紫外点光源非常灵活，搭配高透射率 LED 光导可让您随时随地移动和定位机器中的光源。在一些现有的装置中，这些光导长达 20 米。

领先的OLED FPD带有更多的TFT晶体管以实现更好的分辨率，因此高端光掩模必须具有更小的特征尺寸。将辐射波长从可见光转换为近紫外光，可增强设备检测缺陷的能力。虹科高性能LED光源在350至450 nm的光谱范围内提供出色的性能。

虹科高性能LED光源具有出色的输出稳定性（短期和长期），可提高光罩检测结果的准确性和一致性