​国芯思辰 | 混合IGBT单管在工商业储能PCS变流器中的应用指南

基本半导体混合IGBT单管是将IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案，在工商业储能PCS变流器中的应用指南如下：

1、主要功率点位：35kW、50kW、70kW（35kW两模块并）、100kW（50kW模块两并）、125kW（62.5kW模块两并），功率点位的选择主要取决于电池容量，都是标准值；

2、T型三电平是主流方案，出于竞争力考量，采用分立器件IGBT；T型三电平的开关频率，目前主要在16-20kHz之间

3、35kW单机方案：TO-247封装单管IGBT是现阶段主力，横管用650V 50AIGBT两并联，竖管用1200V 40A IGBT 3颗并联或者1200V 25A IGBT 4颗并联。

4、单机功率要跃迁到50kW和62.5kW，纯硅IGBT的并联个数太多，不符合客户的利益要求，功率越往上走，客户有很强的动力减少IGBT单管的数量，混合IGBT具有明显的应用优势，横管竖管都使用混合IGBT，可以最大限度压低IGBT开通电阻，降低IGBT开关损耗，最大限度发挥混管的性能。

若将IGBT的开通关断电阻分开，横管跟竖管同时选择混管，理论上可以将开通电阻调到0Ω，大大降级IGBT的损耗，这么一来，就可以缩小混管跟全碳MSOFET在这种方案中的差距，最大程度发挥混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案现阶段评估成本还太高，无法干过混管。混管在现有方案中具有较强的发展潜力和生命力。

横管混合IGBT选型：

BGH50N65HF1、BGH50N65HS1、BGH50N65ZF1、BGH75N65HF1、BGH75N65ZF1

竖管混合IGBT选型：

BGH40N120HF1、BGH40N120HS1、BGH75N120HF1、BGH75N120HS1

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