PN8680M 12V1A超低功耗充电器芯片方案

PN8680M低功耗电源芯片是一款高性能的原边反馈控制器。PN8680M工作在原边检测和调整模式，可省略系统的光耦和TL431。PN8680M低功耗电源芯片拥有恒压恒流控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，以满足大部分充电器和适配器需求。骊微电子12V开关控制芯片PN8680M内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。

1.高压启动控制：PN8680M低功耗电源芯片在启动阶段，采用高压启动技术，芯片启动前2.0mA电流源为内部偏置电路供电并给外部VDD电容充电，快速启动。当VDD电压达到VDDon，芯片开始工作的同时高压启动电路关断；只要VDD电压不低于VDDoff，芯片维持正常工作。启动后，偏置电路通过辅助源供电，同时启动电路只有一路极小的电流，实现低损耗。

2.CC 工作模式：在CC工作状态，高效率电源芯片PN8680M采样FB引脚的信号（由辅助绕组信号通过电阻分压），辅助绕组信号脉宽决定振荡频率。输出电压越高，脉宽越小，同时振荡频率越高，这样可获得恒定的输出电流。

3.CV 工作模式：在CV工作状态，高效率电源芯片PN8680M使用脉冲采样VFB电压，并保持到下个采样点。将采样的电压和VREF_CV基准比较，并放大误差。这个误差值代表负载情况，通过控制开关信号，调节输出电压，使得输出恒定。

4.电流检测和前沿消隐：PN8680M低功耗电源芯片提供逐周期电流检测功能。芯片通过CS引脚的电阻检测功率管电流，CC模式设置点和输出功率都通过外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压，内部前沿消隐电路可防止误触发而不需要额外的RC滤波电路。

5.可编程线缆补偿功能：线缆补偿模块通过FB引脚输出一路补偿电流，流入分压电阻，如图3所示，改变电压反馈值，可以使输出线损压降得到补偿。当负载从满载减小到空载时，线损压降也同样减小。PN8680M低功耗电源芯片通过设置FB电阻的阻值可以调整线补偿的幅度。

6.基准负温度补偿：高效率电源芯片PN8680M的VREF_CV电压基准采用负温度补偿技术，常温下，VREF_CV电压基准为2.5V；芯片温度上升时，VREF_CV电压基准值随着温度上升而变小，可以使△V随着温度上升而变小得到补偿，让输出电压Vo在全温度范围内恒定，提高了恒压输出精度。

7.保护控制：PN8680M低功耗电源芯片含有丰富的保护功能，包括：逐周期过流保护、过压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护、CS电阻开/短路保护、VDD欠压锁定保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。

PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，可省略光耦和TL431，常用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源，如果需要PN8680M高效率低功耗电源芯片PN8680M产品的详细手册或其他资料，请向骊微电子申请。>>