国产P沟道功率MOS管ASDM60P25KQ用于电机电源控制板作负载开关

本项目是一个电机电源控制板，主要功能是控制4个200W的大功率直流电机的供电电源，电机供电电源24V，4个电机的工作电流大约30A左右。由于是在电源正极对电机负载进行开关控制，所以最适合的就是选择P沟道MOSFET作为电源开关控制器件。

对于P沟道MOS器件的选型，首先需要确定的是系统最大的连续工作电流，在本项目中需要选择连续电流大于30A的P沟道MOS；考虑到电机工作时会产生比较大的瞬时电流，在P沟道MOS选型的过程中一定要留够负载电流余量。另外在大电流负载的情况下，还需要考虑系统的散热设计。通过选型对比最终选择安森德的ASDM60P25KQ作为电机电源的控制开关。

ASDM60P25KQ主要电气性能参数：

●BVDSS：-60V

●RDS(on),Typ@VGS=-10V：32mΩ

●ID：-25A

●Vgs=±20V

●PD为60W(TC =25ºC)

●RƟJA为50ºC/W (最大值)。

ASDM60P25KQ基本特征：

●高密度电池设计可实现超低RDS(ON)

●具有高可靠性、高效率、高EAS能力●沟道功率低压MOSFET技术●出色的散热封装●100%雪崩测试●提供TO-252-2L封装通过上面的电气参数和器件特征可以得知ASDM60P25KQ的导通电阻小，持续过流能力可以达到25A，当VGS=-10V的时候导通电阻RDS的典型值为32mΩ；另外对于大功率器件散热是必须要做好的，否则一方面会有损坏器件的风险，另一方面电子产品长期在高温条件下工作也会影响系统的稳定性和使用寿命。对比国外品牌万代的AOD407电气性能参数：ASDM60P25KQ具有更低的导通电阻，更大的耗散功率，相当于在同样的负载电流情况下ASDM60P25KQ的发热量会低10%左右。ASDM60P25KQ是国产器件，具有货源好和更高的性价比，适合应用于各种新产品设计以及老产品的更新换代。实际测试中，器件在30A负载条件下不做散热处理不能长期运行，会损坏器件，工程师设计需增加一块大的散热器，器件温度长期稳定在70ºC左右。下图是安森德的P沟道功率MOS管ASDM60P25KQ实物图：

安森德ASDM60P25KQ可替代万代AOD407、台湾微碧2SJ601-Z，