IRFH7085TRPBF N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon

• IRFH7085TRPBF 英飞凌 NMOS, MOSFET, HEXFET系列, Vds=60 V, PQFN封装, 147 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管

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IRFH7085TRPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

产品技术参数

属性	数值
通道类型	N
最大连续漏极电流	147 A
最大漏源电压	60 V
封装类型	PQFN
安装类型	表面贴装
引脚数目	8
最大漏源电阻值	3.2 mΩ
通道模式	增强
最大栅阈值电压	3.7V
最小栅阈值电压	2.1V
最大功率耗散	156 W
晶体管配置	单
最大栅源电压	-20 V、+20 V
每片芯片元件数目	1
典型栅极电荷@Vgs	110 nC @ 10 V
长度	6.15mm
最高工作温度	+150 °C
正向二极管电压	1.2V
最低工作温度	-55 °C
系列	HEXFET
宽度	5.15mm
晶体管材料	Si
高度	0.85mm