NY8A051F是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器

描述

NY8A051F是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器，專為多IO產品的應用而設計，例如遙控器、風扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本、高性能等顯著優勢。NY8A051F核心建立在RISC精簡指令集架構可以很容易地做編輯和控制，共有 55 條指令。除了少數指令需要 2 個時序，大多數指令都是 1 個時序即能完成，可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應用。

在I/O的資源方面，NY8A051F有 6 根彈性的雙向I/O腳，每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產品方面，NY8A051F內建了可選擇頻率的紅外載波發射口。

NY8A051F有兩組計時器，可用系統頻率當作一般的計時的應用或者從外部訊號觸發來計數。另外NY8A051F提供 1組 8 位元解析度的PWM輸出或者蜂鳴器輸出，可用來驅動馬達、LED、或蜂鳴器等等。NY8A051F採用雙時鐘機制，高速振盪或者低速振盪都由內部RC振盪輸入。在雙時鐘機制下，NY8A051F可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節省電力消耗延長電池壽命。

在省電的模式下如待機模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中，有多種事件可以觸發中斷喚醒NY8A051F進入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來處理突發事件。

产品特点

寬廣的工作電壓：

2.0V ~ 5.5V @系統頻率≦8MHz。

2.2V ~ 5.5V @系統頻率＞8MHz。

寬廣的工作温度：

-40°C ~ 85°C。

高 達 ±5KV 的ESD。

內建 11 階準確的低電壓偵測電路LVD)

有需要详细资料或样品测试可加+V:runzexin-18

在NY8A051F中有一个由WDT使用的片上自由运行的振荡器。由于该振荡器独立于其他振荡电路，WDT在备用模式和停止模式下仍可以继续工作。WDT可以通过一个配置字来启用或禁用。当WDT通过配置字启用时，在程序执行过程中仍然可以通过寄存器位WDTEN(PCON[7])来控制其操作。此外，WDT超时后的机制可以重置NY8A051F或发出由另一个配置字决定的中断请求。同时，在WDT超时后，将注册位/TO（状态[4]）清除为0。WDT超时时间的基线可为3.5ms、15ms、60ms或250ms，由两个配置字决定。如果将前置计算器0分配给WDT，则可以延长超时时间。通过写入1来注册位PS0WDT，将前置服务器0分配给WDT。WDT的预计算器0的划分速率由寄存器位PS0SEL[2：0]决定，并取决于WDT的超时机制。如果WDT超时将重置NY8A051F，则除法速率从1：1到1：128；如果WDT超时将中断NY8A051F，则除法速率从1：2到1：256

NY8A051F将通过写0来注册位自我控制来进入慢速模式。在慢速模式下，选择FLOSC作为系统振荡，以节省功耗，但仍能保持IC运行。但是，NY8A051F不会自动禁用FHOSC。因此，用户可以写0，以慢速模式注册位stphosc(OSCCR[1])，以进一步降低功耗。但需要注意的是，禁止进入慢模式，同时停止FHOSC，必须先进入慢模式，然后禁用FHOSC，否则程序可能会挂起。

审核编辑黄宇