***和芯片制造过程

半导体的重要性

在微米和亚微米尺寸上创造具有明确特征的材料的能力对于广泛的研究领域和企业至关重要，从微电子芯片和设备到组织开发。自1970年代以来，半导体行业率先创造了具有亚微米精度的空间设计材料，引领了生成当前数字化所必需的日益复杂的结构化薄膜和微型电子产品的趋势。

半导体可以在笔记本电脑、消费电子产品、电信设备、工业设备、汽车部件和军事资产中找到。这些商品中的半导体材料执行认知处理、可视化、能量控制、存储系统、电路设计以及视觉和电源之间的转换等服务。

半导体制造工艺

半导体和微芯片制造过程由几个独特的处理阶段组成，这些阶段导致一系列活动可能发生在特定设施或许多设施的不同程序中。典型的微芯片生产过程包含数百个阶段，其中许多阶段在制造过程中执行了无数次。在晶圆上，通过物理化学过程的组合产生大量微型晶体管。

一些基本的制造工艺包括沉积、氧化、光刻、掺杂、薄膜沉积、蚀刻、金属化、化学机械平面化 (CMP) 和封装。（江苏英思特半导体科技有限公司）

步骤简述

该过程从硅晶片基板开始。晶圆是从99.99%的纯硅（硅锭）棒上切下并精炼至完美。为了提供保护层或屏蔽，在晶片上生产或涂覆二氧化硅。之后，在晶圆上涂上一层称为“光刻胶”的光敏涂层。

正抗蚀剂和负抗蚀剂是抗蚀剂的两种形式。光刻是一个重要的阶段，因为它决定了芯片上晶体管的尺寸。将芯片晶圆放入***中，在此步骤中进行深紫外 (DUV) 或强紫外 (EUV) 照射。去除硅骨架基板或涂层膜的不需要的部分以显示基本物质或使替代物质能够被涂层而不是蚀刻层。

微芯片的导电区域是通过将导电金属沉积到晶片上形成的。最后，从晶圆底部去除多余的物质，以确保结果具有光滑、光滑的质地。（江苏英思特半导体科技有限公司）

什么是光刻？

将几何形状传输到硅晶片底部的方法称为光刻。通过旋涂法在晶圆上沉积光敏光刻胶。将1.5～5mL的光刻胶溶液倒在压力夹具上高速旋转的晶圆上，使光刻胶均匀覆盖在半导体表面。

旋涂后，晶圆被“软烘烤”以去除光刻胶中的大部分溶剂。抗蚀剂的固体成分停留在基材表面，然后暴露在空气中。只有在基板表面暴露于环境的部分，感光材料才会发生化学反应。一段时间后，将未覆盖的晶圆进行“硬烘烤”，以提高抗蚀剂的附着力，并为后处理准备表面层。

***和系统

微芯片光刻设备需要三种基本技术，它们的性能由它们决定。第一项创新是“投影镜头的分辨率能力”。可以光学传输的电路设计越复杂，镜头的分辨率就越高。

“对齐精度”是第二种技术。光掩模必须更换数十次，电路设计必须在曝光过程中不断雕刻才能制造出单个晶体管。因此，硅晶片和光掩模必须始终完美协调。第三个关键因素是“吞吐量”。当晶体管量产时，这项技术至关重要。吞吐量是衡量效率的指标，表示为每小时曝光的硅晶片数量。

江苏英思特半导体科技有限公司主要从事湿法制程设备，晶圆清洁设备，RCA清洗机，KOH腐殖清洗机等设备的设计、生产和维护。

审核编辑：汤梓红