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详解二极管的伏安特性曲线

CHANBAEK 来源:专业反接钽电容 作者:专业反接钽电容 2023-03-17 15:22 次阅读

实验原理

通过理论学习我们知道,二极管的伏安特性曲线如下:

pYYBAGQUEuKAPPh7AABegSx_f60154.png

显然,拿到一个特定的二极管,如果能提前绘制出此曲线,电路设计能起到事半功倍的效果。那么在实验室或者仿真环境下,我们该如何得到特定二极管的伏安特性曲线呢?从数学理论我们知道,横轴一般称之为自变量,纵轴称之为因变量。即我们应通过逐点更改特定二极管所承受的电压,并记录对应点的电流。通过手绘(描点做图)或者机绘(excel 或者MatLab)即可得到上述图形。

实验过程

逐点测量绘制法

此方法对测试取点的规律性没有要求,可以根据图形的特点自由的添加和删减测试点数。缺点是工作量较大。

典型的二极管伏安特性曲线测试电路图如下:

pYYBAGQUEvKAZazmAABzZEzk1CY271.png

注:搜索资料可以看出,1n4148 的反向耐压是 75 付,故负电源设置为 100V。根据你所认为的标准,在 0~2V 之间取 20 个点;-100~0 之间取 20 个点,完成电压的选取和数据的测绘工作。并根据要求画出二极管伏安特性图。

电源扫描法:

指定激励源为 DC 直流,因变量为电流,绘制原理图如左侧所示。进行DC TRANSFER CURVEANALYSIS 分析。第一扫描源为 DC 直流。

pYYBAGQUEwCAV2XTAABfvMwSodw029.png

开始点为-100V,结束点为 2V,测试点数为 10000。Y 轴坐标范围为-50m~+50m,查看二极管的反向击穿特性和正向导通特性。

开始点为-1V,结束点为 2V,测试点数为 10000。Y 轴坐标范围为-50m~+50m,正向导通特性。

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