前排围观 | 碳化硅外延层RDS（ON）与VDS（max）的设定究竟有多讲究

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碳化硅器件的漏电流更小且带隙更大，可以在更宽的温度范围内工作，并且具有化学惰性，这些优点进一步巩固了SiC在电力电子领域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC功率器件目前已广泛用于众多应用，例如电源、纯电动车电池充电的功率转换和主驱、工业电机驱动、太阳能和风能逆变器等可再生能源发电系统。

一些情况下，我们需要碳化硅具有非常纯的与衬底有相同晶体结构表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这就要通过在碳化硅衬底表面淀积一个外延层来达到。在功率器件中，安森美(onsemi)器件的每个单元基本上都是在外延层加工完成的，它的质量对于器件来说重要性可见一斑。

不同器件对于外延层的要求也是不一样的。SiC MOSFET对于外延质量的要求很高，掺杂的偏差会影响MOSFET的RDS（ON）的分布，而击穿电压同样也会受到掺杂和外延层厚度的影响。有些缺陷轻则会导致MOSFET漏电流偏大，严重则会导致MOSFET失效。

本视频将简单阐述SiC MOSFET的基本工作原理，并讲解如何在碳化硅外延层设定器件的RDS（ON）与VDS（max），以及宇宙射线对电场的干扰。

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原文标题：前排围观 | 碳化硅外延层RDS（ON）与VDS（max）的设定究竟有多讲究

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