P1.25LED显示屏技术参数及制作特点

P1.2小间距LED显示屏为何要选择金线灯珠来制作呢？在了解这个问题之前我们先来了解下P1.2小间距LED显示屏的具体技术参数：
P1.25 LED显示屏技术参数
像数点间距 1.25mm
像素密度 640000 Dots/㎡
像素构成 1R1G1B
单元板分辨率256*128=32768ots
单元板尺寸：320*160mm
PCB板厚度 1.6mm
箱体材料：压铸铝箱体
箱体尺寸：640*480mm
箱体背面带LCD液晶显示模块，可以显示屏屏体使用温度，电压及使用时间
采用PWM动态节能IC 刷新率可达3840HZ
输入电压(直流) 4.2-4.5V 低电压供电
驱动方式 1/64恒流驱动
屏体支持双电源双系统备份功能。
最大电流 2.4A±0.1A
单元板功率 ≤12.0W
亮度 ≥800 cd/㎡
亮度均匀性 ＞0.95
屏幕水平视角 140±10 度 屏幕垂直视角 120±10 度
最佳视距 ≥2m
盲点率＜万分之三
最大功耗 ≤1200W/㎡
使用环境 室内
灰度等级 红、绿、蓝各12-16bits
显示颜色 16777216 种
换帧频率 ≥60 帧/秒
刷新频率 ≥3840Hz(全灰度场)
视频同步，实时显示
亮度调节 256 级手动/自动
HDMI/DVI/VGA，视频(多种制式)
RGBHV、复合视频信号、S-VIDEO
YpbPr(HDTV)
使用寿命 ≥10 万小时
平均无故障时间 ≥1 万小时
衰减率(工作3 年) ≤15％
连续失控点 0
离散失控点 ＜0.0001，出厂时为0 盲点率 ＜0.0001，出厂时为0
工作温度范围 -20 至50℃
工作湿度范围 10％至90％RH
防护性能 超温/过载/掉电/图像补偿/各种校正技术/过流/过压/防雷

P1.25LED显示屏

从上面的技术参数我们可以看出，P1.2小间距LED显示屏实际间距为1.25MM，也就是说两个发光点圆心距离是1.25mm，这个间距非常的小。而且单平方拥有64万个像素点，密度非常之高。在原材料选择上一定要选择上乘的材料制作才能保证P1.2小间距LED显示屏的质量，保证质量稳定性减少屏体的维修。
P1.25LED显示屏一般是采用SMD 1010型号的灯珠制作，1010为LED灯珠的规格尺寸，既是长宽尺寸都是10微米，一般灯珠的封装会采用铝线，铜线和金线封装，金线封装的灯珠导电性能更好，灯珠有效使用率更高，当然价格也更贵。P1.2小间距LED显示屏采用金线封装灯珠制作能够很大程度上保证屏体的质量和显示效果，但是同样成本也比较高。

LED金线封装灯珠特点如下：
1、4-PIN RGB封装，芯片直线排列;
2、采用黑色封装基板，提高色彩对比度;
3、产品重量轻，单颗LED重量小至1.0mg;
4、可实现全黑RGB封装;光损25%;
5、可实现小尺寸0.5*0.5mm RGB封装;
6、产品表面雾面处理，屏幕发光更柔和;
7、采用硅胶压模技术，提高产品耐温性、抗UV、抗应力能力。采用高品质LED灯珠的微间距LED显示屏亮度0~1200cd/m2可调、具备160度水平/垂直超宽视角、整屏失控率低至十万分之一、拥有10万小时的超长使用寿命、平均无故障工作时间高达5万小时、亮度均匀性不小于98%、色度均匀性±0.003Cx,Cy以内，具备高达99%的光利用率，功耗只有DLP和LCD的一半不到，节能环保、易于维护，如此出众的性能表现，赢得了广大用户的认可。

为了解决成本，也可以考虑采用铜线封装的灯珠制作，主要推荐弘盛铜线灯珠，晶台铜线灯珠和国星铜线灯珠，P1.2这么小间距的LED显示屏不简易选用铜线以下封装的灯珠来制作，那会造成屏体故障率高，显示效果差，花了高价钱却买了个低配产品性价比太低。

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以上就是P1.2小间距LED显示屏为何要选择金线灯珠的介绍，如果您还需要知道更多关于小间距LED显示屏价格或是厂家的信息可随时联系我们。

P1.25小间距显示屏

我们可以进一步剖析其节能原理！
首先，从供电电源来看，如果要将5V降为4V，整流肖特基正向压降所占输出电压比重必然增加，开关电源输出电压越低，因整流肖特基正向电压比重越高（其比重X=V压降/V输出，输出从5V降为4V,加入其压降为0.5V,则其比重将从0.1上升为0.125，提高25%），电源输出效率就越低，这对于LED屏幕整体节能效果并不明显，所以采用这一电源设计原理显然是是无法实现电源工作效率的提升。
同时，5V是标称值电压，在市场运用上已经相当成熟，启用新的开关电源电源电压，降低效率的同时只会增加成本，品质也难保障，实现有困难。
电源的设计是一个比较成熟的领域，可以采用另外一种设计思路实现度显示屏的供电，例如同步整流技术。Q10为功率MOSFET，在次级电压的正半周，Q10导通，Q10起整流作用；在次级电压的负半周，Q10关断，同步整流电路的功率损耗主要包括Q10的导通损耗及栅极驱动损耗。当开关频率低于60KHz时，导通损耗占主导地位；开关频率高于60KHz时，以栅极驱动损耗为主。在驱动较大功率的同步整流器时，要求栅极峰值驱动电流IG(PK)≥1A时，还可采用CMOS高速功率MOSFET驱动器。同步整流替代肖特基整流后，可以有效减小在输出功率中消耗的比例。
采用同步整流技术是必须的。在选择AC/DC开关电源时，可以选用半桥或全桥新技术，这样可以使开关电源效率提升到90%以上。当然这些技术应用，给led显示屏供电是可以将电压降至佳状态，同时电源的效率也能达到高效率水平，因此采用新的电源技术给led显示屏供电是可以达到显著节能的效果。电源成本也肯定会有一些增加。
其次，我们可以仔细的研究一下LED显示屏驱动IC，输出端为一个MOS开关管，控制输出端口的关或者开，输出端口压降即VDS =0.65V左右，这是工艺和材料所决定，要把VDS降为0.2V甚至0.1V，本身所需的面积必然增大。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。这个充放电的过程是需要段时间的，面积如果增加，在MOS管上的寄生电容也会随之增大，如此，导致的后果就是整个IC的端口响应速度下降，这对于一个LED显示屏驱动IC将是致命的弱点，因此，想从IC上入手，把转折电压降低，同时使驱动IC有足够的响应速度，起决定作用的是工艺，这是是难以实现的。

审核编辑黄宇